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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME, SDM (共催) |
2022-04-22 14:10 |
宮崎 | 高千穂ホール（宮崎市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
熱処理による酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性改善メカニズムと低温化 Rostislav Velichko（高知工科大）・曲 勇作（島根大）・○古田 守（高知工科大）  SDM2022-4 OME2022-4 |
代表的な金属酸化物半導体薄膜トランジスタ（TFT）であるIn–Ga–Zn–O (IGZO) TFTは10 cm2/Vsを... [more] | SDM2022-4 OME2022-4 pp.17-20 |
| OME, SDM (共催) |
2022-04-23 10:45 |
宮崎 | 高千穂ホール（宮崎市） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高感度紫外光電子分光法を用いた無機・有機半導体のギャップ内準位の直接観測と評価 ○中澤遼太郎・渡邊研太・田中有弥・石井久夫（千葉大） SDM2022-11 OME2022-11 |
無機・有機半導体を用いたデバイスは，しばしば禁制帯に微弱に存在するギャップ内準位から大きな 影響を受けるため，ギャップ内... [more] | SDM2022-11 OME2022-11 pp.51-56 |
| ED | 2019-11-22 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | n型ダイヤモンド酸素終端表面からの電子放出のエネルギー分析 ○増澤智昭・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・岡野 健（国際基督教大）・山田貴壽（産総研） ED2019-71 |
リン添加n型ダイヤモンド酸素終端表面からの電子放出メカニズムを調べるため、紫外線光電子分光法と電界放出電子分光による電子... [more] | ED2019-71 pp.47-49 |
| SDM | 2019-06-21 16:45 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析 ○大田晃生・牧原克典（名大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司・宮﨑誠一（名大） SDM2019-35 |
化学溶液洗浄したGaN(0001)上にプラズマ支援ALDを用いてHf/(Hf+Si)組成の異なるHfSiOxを形成し、8... [more] | SDM2019-35 pp.47-51 |
| SDM | 2017-06-20 16:50 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 ○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-30 |
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] | SDM2017-30 pp.43-48 |
| SDM | 2016-06-29 14:10 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量 ○藤村信幸・大田晃生・渡辺浩成・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2016-40 |
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] | SDM2016-40 pp.43-47 |
| SDM | 2016-06-29 15:05 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | タンタル酸ナノシート/SiO2/Si界面バンドオフセットにおけるUV照射の効果 ○速水脩平・豊田智史・福田勝利（京大）・菅谷英生（パナソニック）・森田将史・中田明良・内本喜晴・松原英一郎（京大） SDM2016-42 |
ReRAMの材料設計を行う際の指針として、絶縁層とSi基板の界面バンドオフセットはリーク電流の抑制を考える上で重要なパラ... [more] | SDM2016-42 pp.53-58 |
| SDM | 2015-06-19 11:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 ○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機） SDM2015-42 |
SiC(000-1)面（C面）、SiC(0001)面（Si面）それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] | SDM2015-42 pp.21-26 |
| SDM | 2014-10-17 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ラジカル窒化法により形成したSi3N4/Si界面に形成される組成遷移層に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2014-89 |
ラジカル窒化により形成したSi3N4/Si界面におけるSi基板側に形成される遷移層の構造を明らかにすることを目的とし、高... [more] | SDM2014-89 pp.31-34 |
| SDM | 2014-10-17 10:40 |
宮城 | 東北大学未来研 | 角度分解X線光電子分光法による4H-SiCの初期酸化過程の解明 ○笹子知弥・山堀俊太・野平博司（東京都市大） SDM2014-90 |
我々は、角度分解X線光電子分光法を用いて、乾燥酸素中800℃～850℃で酸化したときの4H-SiC、C面の初期酸化過程を... [more] | SDM2014-90 pp.35-39 |
| ED | 2014-08-01 15:50 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット ○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT） ED2014-60 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] | ED2014-60 pp.41-46 |
| SDM | 2013-10-18 10:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 ○池野成裕・永田晃基（明大）・陰地 宏・廣沢一郎（高輝度光科学研究センター）・小椋厚志（明大） SDM2013-94 |
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] | SDM2013-94 pp.33-36 |
| OME | 2013-10-11 14:50 |
大阪 | 阪大中之島センター | 光電子分光法を用いた有機/金属界面における電子放出現象に関する研究 ○田中仙君（近畿大）・大谷知宏・廣光一郎（島根大） OME2013-62 |
本発表では、有機薄膜上へ微量の金属を蒸着することで、近紫外光照射によって光電子放出が起こる現象について報告する。有機薄膜... [more] | OME2013-62 pp.59-62 |
| SDM | 2012-06-21 15:05 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 ○筒井一生・金原 潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉 雄大・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-56 |
Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プ... [more] | SDM2012-56 pp.69-74 |
| OME | 2012-05-24 16:15 |
東京 | NTT武蔵野研究開発センター | フッ素化自己組織化単分子膜と正孔輸送層の界面における遷移領域形成 ○位田友哉（名大）・佐藤敏一（豊田中研）・森本拓也（名大）・西川尚男（岩手大）・森 竜雄（愛知工大/名大） OME2012-29 |
我々はこれまでにフッ素化自己組織化単分子膜(FSAM)の導入により、素子の低電圧駆動や素子寿命の改善を報告してきた。これ... [more] | OME2012-29 pp.49-52 |
| SDM | 2011-10-21 09:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 ○野平博司・小松 新・那須賢太郎・星 裕介・榑林 徹・澤野憲太郎（東京都市大）・マクシム ミロノフ（Warwick大）・白木靖寛（東京都市大） SDM2011-103 |
Si-cap層の厚さとHfO2堆積後の熱処理(PDA)が，HfO2/Si-cap/歪みGe/Si0.5Ge0.5/Si ... [more] | SDM2011-103 pp.37-41 |
| SDM | 2011-07-04 10:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 ○大野真也・井上 慧・森本真弘・新江定憲・豊島弘明（横浜国大）・吉越章隆・寺岡有殿（原子力機構）・尾形祥一（横浜国大）・安田哲二（産総研）・田中正俊（横浜国大） SDM2011-54 |
面方位(113)、(120)のシリコン高指数面の初期酸化過程を光電子分光法を用いて調べた。酸化状態Sin+(n=1-4)... [more] | SDM2011-54 pp.23-27 |
| SDM | 2011-07-04 12:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 ○村上秀樹・藤岡知宏・大田晃生・三嶋健斗・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-58 |
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] | SDM2011-58 pp.47-50 |
| SDM | 2011-07-04 14:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 ○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-61 |
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] | SDM2011-61 pp.63-68 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
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