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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2017-04-21
10:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic
Harsh N. PatelAbhishek RoyFarah B. YahyaNingxi LiuBenton CalhounUVA)・Akihiko HaradaFEA)・Kazuyuki KumenoMakoto YasudaTaiji EmaMIFSICD2017-11
本稿では55nm超低リークDDC技術によるULL(Ultra-Low Leakage)トランジスタを用いた回路特性の評価... [more] ICD2017-11
pp.57-61
ICD 2013-04-12
15:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減
前田徳章小松成亘森本薫夫田中浩二塚本康正新居浩二島崎靖久ルネサス エレクトロニクスICD2013-21
モバイルアプリケーション用途の高性能・低待機電力SRAMを提案する。デジタル電流比較器を利用し、温度によって最適なスタン... [more] ICD2013-21
pp.109-114
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
15:05
東京 機械振興会館 ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現
亀代典史渡部隆夫石井智之峰 利之日立)・佐野聡明ルネサス北日本セミコンダクタ)・伊部英史秋山 悟日立)・柳沢一正一法師隆志岩松俊明高橋保彦ルネサステクノロジSDM2008-136 ICD2008-46
SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実... [more] SDM2008-136 ICD2008-46
pp.47-52
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
09:50
福井 福井大学 ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減
松田慶太川崎 健中田 健五十嵐武司八重樫誠司ユーディナデバイスED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68
AlGaN/GaN HEMTはキャリア密度・移動度が大きく絶縁破壊耐圧が高いという優れた特徴をもつため、低オン抵抗・高耐... [more] ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68
pp.57-61
ICD, IPSJ-ARC
(共催)
2007-05-31
11:00
神奈川 株式会社富士通研究所 岡田記念ホール Drowsyキャッシュにおける活性期間の制御手法に関する検討
小林良太郎・○谷口英樹島田俊夫名大
近年プロセス技術の進歩により、リーク電流によって消費される静的電力が問題となってきている。これに対し、チップ上のトランジ... [more] ICD2007-18
pp.7-12
ICD 2006-04-14
13:00
大分 大分大学 [特別招待講演]バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術
山岡雅直日立
携帯機器向けのプロセッサでは、混載SRAMの電力がプロセッサ全体の電力に与える影響が大きく、低電力混載SRAM回路技術が... [more] ICD2006-17
pp.91-96
ICD 2005-12-15
15:15
高知 高知工科大 常活性ラインに基づく高性能/低リーク・キャッシュの消費エネルギー評価
小宮礼子福岡大/九州システム情報技研)・井上弘士JST/九大)・村上和彰九大/九州システム情報技研
我々はこれまでに,高性能かつ低リークなキャッシュを提案した.この手法は性能低下を引き起こすラインを常に活性状態として動作... [more] ICD2005-189
pp.37-42
ICD 2005-04-14
09:30
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM
山岡雅直日立)・前田徳章ルネサステクノロジ)・篠崎義弘日立超LSIシステムズ)・島崎靖久新居浩二島田 茂柳沢一正ルネサステクノロジ)・河原尊之日立
低電力SoCの消費電力はモバイル機器の電池寿命に大きく影響する。現在のSoCは多くのSRAMモジュールを混載しており、S... [more] ICD2005-2
pp.7-12
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