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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
13:30
京都 京都大学 スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT
目黒達也原 明人東北学院大EID2014-23 SDM2014-118
高い電流駆動能力を有する低温(LT)多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)の実現に向け,連続波レーザラテ... [more] EID2014-23 SDM2014-118
pp.51-54
SDM 2013-12-13
11:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT
目黒達也原 明人東北学院大SDM2013-124
高誘電率ゲート絶縁膜は,低温多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)の性能向上のためのテクノロジ・ブースタ... [more] SDM2013-124
pp.49-53
SDM, OME
(共催)
2012-04-27
15:10
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長
北原邦紀島根大)・原 明人東北学院大SDM2012-5 OME2012-5
連続発振レーザ横方向結晶化(CLC)法によりガラス基板上にSiおよびSiGe薄膜のフロー状成長を実現した.CLCは薄膜ト... [more] SDM2012-5 OME2012-5
pp.21-26
SDM, OME
(共催)
2012-04-27
15:40
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT
黒木伸一郎東北大SDM2012-6 OME2012-6
Gaussianレーザスポットをもつ連続発振レーザラテラル結晶化により平均20×2μm2の粒径をもつpoly-Si薄膜を... [more] SDM2012-6 OME2012-6
pp.27-32
SDM 2010-10-22
11:40
宮城 東北大学 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成
黒木伸一郎川崎雄也藤井俊太朗小谷光司東北大)・伊藤隆司東工大/広島大SDM2010-163
石英基板上にレーザ結晶化により3軸配向性の高いPoly-Si薄膜を形成した。連続発振レーザを用い、ビームスポットを、直線... [more] SDM2010-163
pp.45-48
SDM 2008-10-09
14:30
宮城 東北大学 エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化
沼田雅之黒木伸一郎藤井俊太朗小谷光司伊藤隆司東北大SDM2008-151
CWレーザアニールはガラス基板上でグレインサイズ20×2 µm2の大粒径poly-Si薄膜を得ることができ、... [more] SDM2008-151
pp.13-16
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