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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| HWS, VLD (共催) |
2023-03-01 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リーク電流の製造ばらつきを利用したLRPUFの超低電圧に向けた回路の最適化とシミュレーション評価 ○畑 俊吉・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2022-77 HWS2022-48 |
LSI の個体識別技術であるPUF(Physically Unclonable Function)を、センサノードなどの... [more] | VLD2022-77 HWS2022-48 pp.25-30 |
| VLD, HWS (共催) [詳細] |
2022-03-08 10:20 |
ONLINE | オンライン開催 | リーク電流の製造ばらつきを利用したLR-PUFの機械学習攻撃に対する耐性評価 ○笈川智秋・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2021-93 HWS2021-70 |
LSIの個体識別技術の一つに、半導体の物理的特徴を利用したPUF（Physically Unclonable Funct... [more] | VLD2021-93 HWS2021-70 pp.93-98 |
| SIP, CAS, VLD, MSS (共催) |
2021-07-06 10:00 |
ONLINE | オンライン開催 | リーク電流を利用したPUFの回路構造の提案とシミュレーション評価 ○笈川智秋・宇佐美公良（芝浦工大） CAS2021-9 VLD2021-9 SIP2021-19 MSS2021-9 |
LSIの個体識別技術の一つに、半導体の物理的特徴を利用したPUF(Physically Unclonable Funct... [more] | CAS2021-9 VLD2021-9 SIP2021-19 MSS2021-9 pp.42-47 |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 13:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 高速かつ高ノイズマージンな65nm FD-SOI向けドミノ高基数ツリー加算器設計 ○新納一樹・今川隆司・越智裕之（立命館大） VLD2018-112 HWS2018-75 |
2000年代にはドミノロジックは回路を高速化するための回路方式としてLSI市場の最前線にも導入されていた．しかし近年のム... [more] | VLD2018-112 HWS2018-75 pp.115-120 |
| SDM | 2017-10-25 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減 朴 賢雨・○黒田理人・後藤哲也・諏訪智之・寺本章伸・木本大幾・須川成利（東北大） SDM2017-51 |
3種の異なるゲートサイズを有する多数のnMOSトランジスタのストレス誘起ゲートリーク電流(Stress Induced ... [more] | SDM2017-51 pp.9-14 |
| CPM | 2017-07-21 16:42 |
北海道 | 北見工業大学第一総合研究棟２F多目的講義室 | BiFe1-xMnxO3単相膜及び[CaFeOx/BiFe1-xMnxO3]人工超格子の面直方向に関する電気特性 松山裕貴・大橋祥平・小山智之・赤澤孝徳・宋 華平・館野友優・岡本卓也・永田知子・山本 寛・○岩田展幸（日大） CPM2017-30 |
パルスレーザー堆積法により成膜した、BiFe1-xMnxO3(BFMO)薄膜及び[CaFeOx(CFO)/BFMO]人工... [more] | CPM2017-30 pp.45-49 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研） ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 pp.1-4 |
| MW | 2016-11-17 14:30 |
佐賀 | 佐賀大学 | 基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル ○山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） MW2016-122 |
基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデルを提案する．提案モデルではバッファ... [more] | MW2016-122 pp.33-38 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 11:40 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大） ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
本調査では、成長条件が異なる２種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] | ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 pp.77-80 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 09:35 |
東京 | 機械振興会館 | 低リークTaONパッシベーションGaN HEMTを用いたRFテスタ用10MHz-12GHz帯超高速低歪みSP4Tスイッチ ○君島正幸・小山 慧・大西将夫（アドバンテスト研） ED2014-125 MW2014-189 |
低ゲートリークTaONパッシベーションGaN ショットキーHEMTプロセスを用いたRFテスタフロントエンド用10MHz～... [more] | ED2014-125 MW2014-189 pp.47-51 |
| R | 2014-11-20 13:45 |
大阪 | 大阪中央電気倶楽部 | マルコフ連鎖モデルによる半導体素子劣化・寿命予測 ○桃田 快・遠藤幸一・御堂義博・三浦克介・中前幸治（阪大） R2014-61 |
個別の半導体デバイスの使用経過時間中の特性がモニターできる仮定の下で，得られた特性からデバイスの劣化・寿命を予測する手法... [more] | R2014-61 pp.1-5 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 10:25 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | 待機時のデータ保持と待機時消費電力の低減を両立した1電源6-Tr CMOS SRAMの開発 ○伊藤隆祐（中大）・小林伸彰（長岡技科大）・榎本忠儀（中大） SDM2014-73 ICD2014-42 |
低電圧データ書き込み・データ読み出しを可能とし、待機時のデータ保持と低消費電力化を両立した1電源6-Tr CMOS SR... [more] | SDM2014-73 ICD2014-42 pp.59-64 |
| RECONF | 2013-09-19 09:00 |
石川 | 北陸先端科学技術大学院大学 | バックゲートバイアス制御技術を用いた低電力リコンフィギャラブルアクセラレータの設計 ○蘇 洪亮・王 蔚涵・天野英晴（慶大） RECONF2013-26 |
近年、大きな Processing Element(PE) array を持っているアクセラレータのリーク電流は深刻な問... [more] | RECONF2013-26 pp.37-42 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2012-125 MW2012-155 |
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチ... [more] | ED2012-125 MW2012-155 pp.69-74 |
| SDM | 2011-11-11 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | MTJ素子を用いた完全並列形高密度不揮発TCAMの構成 ○勝俣 翠・松永翔雲・羽生貴弘（東北大） SDM2011-126 |
高速な並列パターンマッチング処理を実現する専用ハードウェアである Ternary Content-Addressable... [more] | SDM2011-126 pp.63-68 |
| CAS | 2010-01-28 15:25 |
京都 | 京大会館 | パワーゲーティング技術を搭載したシステムLSIの電源ノイズ抑制 ○川崎健一・中山耕一・田辺 聡・藤澤久典（富士通研） CAS2009-69 |
低消費電力SoC向けに面積オーバーヘッドが小さいパワーゲーティング手法を開発した。 本手法の特徴は、回路への電源供給に... [more] |
CAS2009-69 pp.31-36 |
| SDM | 2009-10-29 16:45 |
宮城 | 東北大学 | SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性 ○阿部俊幸・田主裕一朗・黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大） SDM2009-122 |
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造に... [more] | SDM2009-122 pp.27-30 |
| SCE | 2009-01-29 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | SIS接合の電流-電圧特性におけるサブギャップ電流の起源 ○鈴木仁研・野口 卓・遠藤 光・松尾 宏（国立天文台） SCE2008-35 |
SIS接合のサブギャップリーク電流は，温度の低下と共に指数関数的に減少する．しかし，ある温度以下になると，リーク電流の減... [more] | SCE2008-35 pp.17-21 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・金村雅仁・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2008-221 MW2008-186 |
ミリ波（W帯）増幅器向けGaN高移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] | ED2008-221 MW2008-186 pp.129-133 |
| ICD | 2008-12-12 16:35 |
東京 | 東工大（大岡山）国際交流会館 | [依頼講演] 45nm CMOSにおけるばらつき低減を目的とした基板バイアス制御技術の提案 ○鹿嶋一生・鈴木弘明・栗本昌憲（ルネサステクノロジ）・山中唯生（ルネサスデザイン）・高田英裕（ルネサステクノロジ）・牧野博之（阪工大）・篠原尋史（ルネサステクノロジ） ICD2008-128 |
微細化プロセスにおけるばらつき抑制を目的としたポストシリコンプログラミング型基板バイアス技術を提案する。提案手法では、ウ... [more] | ICD2008-128 pp.137-142 |
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