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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MI | 2020-01-30 09:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［ショートペーパー］病理診断支援に向けたラマン分光法-OCTシステムの構築 ○植田祐未・中野和也・大西 峻・立川華子・廣野誠一郎・岩立康男・羽石秀昭（千葉大）  MI2019-97 |
術中迅速病理診断は手術中に摘出された組織からがんか判定するために行われる．通常の病理診断に比べ短時間で行える一方，作業が... [more] | MI2019-97 pp.147-148 |
| CPM | 2019-02-28 16:35 |
東京 | 電通大 | 分光法と新規デバイスの開発 ○木村康男（東京工科大） CPM2018-112 |
デバイスの動作機構を解明し、その特性に影響を及ぼしている現象を把握することは大変たいせつである。それをもとに、デバイスが... [more] | CPM2018-112 pp.49-52 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 10:40 |
東京 | 日立中研 | 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析 ○四田泰代（住友電工デバイス・イノベーション）・舘野泰範・米村卓巳・古川将人・山本 洋（住友電工）・野瀬幸則・清水 聡（住友電工デバイス・イノベーション） ED2018-81 MW2018-148 |
本研究の目的は，高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について，デバイス内部の応力・結晶歪に着目し，シ... [more] | ED2018-81 MW2018-148 pp.67-70 |
| SDM | 2018-10-18 13:30 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ラマン分光法による熱電デバイス応用へ向けたSiナノワイヤのプロセス評価 ○横川 凌（明大）・富田基裕・渡邉孝信（早大）・小椋厚志（明大） SDM2018-61 |
Siナノワイヤ(SiNW)はバルクSiと比較して電気伝導率を維持しつつ熱伝導率が大幅に低下することから次世代熱電材料とし... [more] | SDM2018-61 pp.47-50 |
| SDM | 2012-03-05 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 ○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研） SDM2011-179 |
光電子制御プラズマCVDはグラファイト材料を低温成長 (～400 ℃) 、触媒無し、大面積で成長できる有力な手法である。... [more] | SDM2011-179 pp.19-24 |
| SDM | 2011-10-21 09:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価 ○武井宗久・橋口裕樹・山口拓也・小瀬村大亮（明大）・永田晃基（明大/学振）・小椋厚志（明大） SDM2011-104 |
歪技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとして実用化されている。しかし、その詳細なメカニズムおよび評価手法... [more] | SDM2011-104 pp.43-48 |
| SDM | 2011-02-07 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長：結晶性の放電条件依存 ○小川修一（東北大/JST）・佐藤元伸（富士通/JST）・角 治樹（東北大）・二瓶瑞久（富士通/JST）・高桑雄二（東北大/JST） SDM2010-220 |
グラフェンを低温（400℃以下）、触媒無し、大面積成長させるため、我々は光電子制御プラズマを開発した。本研究では光電子制... [more] | SDM2010-220 pp.25-30 |
| SDM | 2010-10-21 15:00 |
宮城 | 東北大学 | 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価 ○小瀬村大亮（明大/学振）・小椋厚志（明大） SDM2010-153 |
ラマン分光法は、高い精度で応力が評価でき、比較的空間分解能も高く、非破壊の特徴を有する。このため、半導体デバイスの応力評... [more] | SDM2010-153 pp.7-12 |
| SDM | 2010-10-22 16:20 |
宮城 | 東北大学 | 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 ○服部真季（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志（明大）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）・小金澤智之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-170 |
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] | SDM2010-170 pp.71-75 |
| SDM | 2008-06-10 09:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント ○清家 綾・丹下智之・佐野一拓・杉浦裕樹・土田育新・太田洋道・渡邉孝信（早大）・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・大泊 巌（早大） SDM2008-48 |
熱酸化膜起因の引っ張り歪を印加する事により、n型ナノワイヤFETs (n-nwFETs)、p型のナノワイヤFETs(p-... [more] | SDM2008-48 pp.35-39 |
| EMD | 2007-10-19 14:25 |
神奈川 | 慶応義塾大学（日吉キャンパス） | Si圧痕のラマン分光解析 ○柳沢雅広・久保暢宏・阪田薫穂・加藤真裕・本間敬之・逢坂哲彌（早大） EMD2007-64 |
Si表面に形成した三角錐圧痕について、共焦点型ラマン分光装置を用いてそのスペクトル解析およびイメージング解析を行った。そ... [more] | EMD2007-64 pp.51-54 |
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