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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-09 14:00 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析 ○岡田 丈・田中 一・森 伸也（阪大）  SDM2023-65 |
単一モード半導体ナノシートにおいて，表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程を数値計算により求める手法を提案する．平均自由行... [more] | SDM2023-65 pp.10-15 |
| SDM | 2023-06-26 10:10 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 | ［記念講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計 ○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2023-27 |
FinFETの次世代チャネルとしてCMOSに採用され始めているナノシートチャネルは, チャネルの極薄膜化により短チャネル... [more] | SDM2023-27 pp.1-4 |
| SDM | 2022-11-10 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETチャネル材料と面方位の最適設計 ○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2022-65 |
将来のCMOSチャネルには極薄膜(ETB)のナノシート構造が最も有望視されている. また別の応用として, 量子コンピュー... [more] | SDM2022-65 pp.7-12 |
| SDM | 2022-01-31 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計 ○隅田 圭・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-71 |
極薄膜（ETB）ナノシートチャネルは, 優れたスケーラビリティを理由に将来のテクノロジーノードにおけるチャネル構造として... [more] | SDM2021-71 pp.12-15 |
| NC, MBE (併催) |
2021-03-03 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 高周波純音成分を要因とする不快音に対するうなりを用いた不快感低減手法の提案 ○鈴木尚生・黒柳 奨（名工大） MBE2020-44 |
人を不快にさせてしまう要素のある楽曲について調べる中で，継続して大きな高周波数純音成分を持つことが不快感のある楽曲の特徴... [more] | MBE2020-44 pp.24-27 |
| SDM | 2017-10-25 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減 朴 賢雨・○黒田理人・後藤哲也・諏訪智之・寺本章伸・木本大幾・須川成利（東北大） SDM2017-51 |
3種の異なるゲートサイズを有する多数のnMOSトランジスタのストレス誘起ゲートリーク電流(Stress Induced ... [more] | SDM2017-51 pp.9-14 |
| SDM | 2013-06-18 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiC-MOSゲート構造の高信頼性化 ○先﨑純寿・下里 淳・田中保宣・奥村 元（産総研） SDM2013-60 |
超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため，SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である．我々はSi... [more] | SDM2013-60 pp.81-86 |
| SANE | 2011-05-20 15:25 |
神奈川 | 防衛大学校 | GPS信号地表反射波の偏波特性を利用したリモートセンシングの実験的評価 ○加藤竜太（東大）・齋藤宏文・福田盛介（JAXA） SANE2011-14 |
GPSリモートセンシングとは、GPS衛星を信号の送信機として用いるリモートセンシング手法である。その現状としては、GPS... [more] | SANE2011-14 pp.25-30 |
| SDM | 2010-02-05 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | Cu／Low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価 ○山口敦子・龍崎大介・武田健一（日立）・川田洋揮（日立ハイテクノロジーズ） SDM2009-192 |
Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス（LER）評価方法を確立するため，レジスト，low-k，Cu/low-... [more] | SDM2009-192 pp.59-63 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法 ○福留秀暢（富士通マイクロエレクトロニクス）・堀 陽子（富士通クオリティ・ラボ）・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通マイクロエレクトロニクス） SDM2009-106 ICD2009-22 |
我々はゲート幅方向へ傾斜させた平行エクステンション注入によりnMOSFETのVthばらつきが15%低減することを初めて実... [more] | SDM2009-106 ICD2009-22 pp.49-52 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション ○三成英樹・西谷大祐・森 伸也（阪大） SDM2008-180 |
非平衡グリーン関数法を用いた3 次元量子輸送シミュレーションを極微細MOSFET について行った．シミュレーションの結果... [more] | SDM2008-180 pp.67-70 |
| SDM | 2006-06-21 16:50 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術 ○森永 均・島岡健治・大見忠弘（東北大） |
シリコン表面のマイクロラフネスはウェットプロセス中に増大する。ラフネス発生機構を詳細に解析した結果、ラフネスは、驚くべき... [more] | SDM2006-50 pp.49-54 |
| SDM | 2006-06-22 09:25 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性 ○桧山 晋・王 俊利・加藤孝義・平野智之・田井香織・岩元勇人（ソニー） |
Si(110)基板上にCMOSトランジスタを形成し、正孔移動度のGate酸化プロセス依存性評価を行った。評価を行った酸化... [more] | SDM2006-53 pp.65-69 |
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