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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2011-10-20
16:10
宮城 東北大学未来研 [特別講演]学問に基づいた本物のシリコン産業技術の創出
大見忠弘東北大SDM2011-102
インテル社のマイクロプロセッサの動作速度がこの6年間,3GHzクロック程度で完全に停滞していることが象徴するように,現状... [more] SDM2011-102
pp.27-36
SDM 2009-06-19
13:20
東京 東京大学(生産研An棟) ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御
加藤公彦近藤博基坂下満男財満鎭明名大SDM2009-33
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] SDM2009-33
pp.39-44
SDM 2008-10-10
16:15
宮城 東北大学 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究
諏訪智之東北大)・荒谷 崇信越化学)・樋口正顕東芝)・須川成利東北大)・池永英司高輝度光科学研究センター)・牛尾二郎日立)・野平博司武蔵工大)・寺本章伸大見忠弘服部健雄東北大SDM2008-167
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] SDM2008-167
pp.69-74
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