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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2021-08-06
15:25
ONLINE オンライン開催 金属酸化物メモリスタによる特徴量パターン取得のためのセンサ抵抗-電圧変換回路の設計とガス識別
廣田丈裕吉河武文岩田達哉富山県立大ED2021-13
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more] ED2021-13
pp.9-12
SDM 2021-06-22
13:50
ONLINE オンライン開催 [記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~
トープラサートポン カシディット李 宗恩林 早阳田原建人渡辺耕坪竹中 充高木信一東大SDM2021-23
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] SDM2021-23
pp.7-12
SDM 2021-06-22
17:10
ONLINE オンライン開催 組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響
三澤奈央子田岡健太越能俊介松井千尋竹内 健東大SDM2021-28
組合せ最適化問題の1つであるナップサック問題を,抵抗変化型メモリReRAM(Resistive Random Acces... [more] SDM2021-28
pp.23-26
ED, SDM, CPM
(共催)
2021-05-27
14:10
ONLINE オンライン開催 抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価
川合祐貴佐藤 勝武山真弓北見工大ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミン... [more] ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
pp.11-14
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2021-03-25
09:40
ONLINE オンライン開催 メモリデバイスの多様化に伴う使い分け技術の必要性 ~ 分子動力学ソフトウェアGROMACSの動作解析を踏まえた考察 ~
児玉宏喜遠藤浩史吉川隆英富士通研CPSY2020-50 DC2020-80
HBMやOptane™ Persistent Memory(PM)が実用化され始め,スーパーコンピュータにおいては性能の... [more] CPSY2020-50 DC2020-80
pp.1-6
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2021-03-26
09:20
ONLINE オンライン開催 メモリネットワークを用いたコヒーレンスディレクトリの最適配置
亀山祐己四釜快弥丹羽直也慶大)・鯉渕道紘NII)・天野英晴慶大CPSY2020-57 DC2020-87
Hybrid Memory Cube(HMC)は、DRAMチップを三次元積層し、最下層にロジック層を配置して管理するメモ... [more] CPSY2020-57 DC2020-87
pp.43-48
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2021-03-26
14:40
ONLINE オンライン開催 不揮発性素子を用いたノンストッププロセッサ
中別府将太杉山尚央山﨑信行慶大)・鈴木健太平賀啓三神田泰夫ソニーセミコンダクタソリューションズCPSY2020-66 DC2020-96
特定の機能を満たすために機器に組み込まれるコンピュータシステムを組込みシステムという.組込みシ
ステムの例としてウェア... [more]
CPSY2020-66 DC2020-96
pp.97-102
IN, NS
(併催)
2021-03-05
15:50
ONLINE オンライン開催 自律拡張共有メモリによるリアルタイム情報ネットワーク ~ 防災への応用を目指して ~
田中 晶東京高専)・丸山 充神奈川工科大)・漆谷重雄NIINS2020-173
広く普及している小型ボードコンピュータやマイコン,さらには,近年特に異種デバイスの混在環境のコアとしても注目されている再... [more] NS2020-173
pp.299-304
CPM 2021-03-03
13:45
ONLINE オンライン開催 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性
川合祐貴山本和輝大塚 祐佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2020-69
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] CPM2020-69
pp.52-54
HWS, VLD
(共催) [詳細]
2021-03-04
13:25
ONLINE オンライン開催 Tweakableブロック暗号を用いた低遅延メモリ保護方式とそのハードウェア設計
小田麻矢上野 嶺本間尚文東北大)・井上明子峯松一彦NECVLD2020-83 HWS2020-58
本稿では,Tweakable ブロック暗号(TBC)に基づく高効率なメモリ保護方式を提案する.Intel SGXで提供さ... [more] VLD2020-83 HWS2020-58
pp.85-90
DE, IPSJ-DBS
(連催)
2020-12-22
10:00
ONLINE オンライン開催 不揮発メモリデバイスを対象とするデータベース演算の実行コスト測定方式に関する検討
吉岡弘隆合田和生喜連川 優東大DE2020-23
近年不揮発性メモリ(NVM)が注目を浴びている.SSD/HDDのように不揮発性でありながらDRAMのように高速にバイト単... [more] DE2020-23
pp.36-41
QIT
(第二種研究会)
2020-12-10
10:40
ONLINE オンライン開催 [招待講演]時間多重化伝令付き単一光子および多光子源
金田文寛東北大
オンデマンドな単一光子の生成,つまり要求された時間に確実に単一光子を生成し,取り出せるデバイスの実現は量子情報技術の大規... [more]
QIT
(第二種研究会)
2020-12-11
12:00
ONLINE オンライン開催 量子ウォークによる量子ランダムアクセスメモリ
浅香 諒堺 和光矢萩量子東京理科大
量子ウォークを用いた新しい量子ランダムアクセスメモリ(QRAM)の概念を提案する. 量子計算の優位性を担保するためには,... [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
15:35
ONLINE オンライン開催 Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ
赤根詩穂里龍谷大)・堀内 功KOA)・木村 睦龍谷大EID2020-13 SDM2020-47
我々は「Cu2GeTe3:銅・ゲルマニウム・テルル(CGT)」を用いた相変化メモリ(PCRAM)についての研究を行なって... [more] EID2020-13 SDM2020-47
pp.50-53
SCE 2020-11-25
14:20
ONLINE オンライン開催 10-kA/cm2 Nbプロセスを用いたJosephson latching driverの設計及びビットエラーレート評価
弘中祐樹吉川信行横浜国大SCE2020-8
Josephson論理回路に適合する大規模メモリを実現するため、我々はCMOSメモリをJosephson論理回路と組み合... [more] SCE2020-8
pp.1-6
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-17
09:30
ONLINE オンライン開催 SONOS Flashセルを用いた不揮発SRAMの設計と回路シミュレーションによる評価
浦部孝樹新居浩二小林和淑京都工繊大VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30
本稿では SONOS Flash を用いた不揮発の SRAM メモリについてレイアウト設計を行い, その特性について回路... [more] VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30
pp.1-5
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-18
14:25
ONLINE オンライン開催 Approximate Computingを用いた不揮発性メモリへの画像データ書き込みにおけるエネルギー削減手法
小野義基宇佐美公良芝浦工大VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57
MTJを用いた不揮発性メモリ(NVM)は、読み書き性能が良い・細粒度電源遮断が可能である一方、書き込みエネルギーが大きい... [more] VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57
pp.145-150
CPM 2020-10-29
16:40
ONLINE オンライン開催 抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製
佐藤 勝川合祐貴向井高幸武山真弓北見工大CPM2020-21
抵抗変化メモリに適用可能な絶縁膜を形成するために、我々は、ZrO2膜の低温作製を行ってきた。本研究で得られたZrO2膜は... [more] CPM2020-21
pp.38-40
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2020-10-05
14:20
ONLINE オンライン開催 SmFe2超磁歪薄膜を用いたピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合素子の最近の研究
浦下宗輝小野澤 隼北川涼太冨田誠人春本高志史 蹟中村吉男高村陽太中川茂樹東工大MRIS2020-3
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の不揮発性記憶素子である磁気トンネル接合素子(MTJ)においては,磁化反転時に... [more] MRIS2020-3
pp.12-15
CNR 2020-09-24
13:20
ONLINE オンライン開催 SLAM実行時のエッジへの動的メモリオフロード制御に向けた資源利用予測モデルの提案と評価
長濱幸輝芝浦工大)・石綿陽一VA Linux Japan)・大川 猛東海大)・菅谷みどり芝浦工大CNR2020-2
近年,自律移動型ロボット活用が進んでいる.自律移動型ロボットでは,自己位置推定と環境地図作成を同時に行うSLAM技術が広... [more] CNR2020-2
pp.7-12
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