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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
11:15
愛知 名古屋大学VBL3階 AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長
渡邉祥順三宅秀人平松和政三重大)・岩崎洋介JFEミネラルED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35
窒化アルミニウムは深紫外域の発光・受光デバイスや高出力・高周波パワーデバイスなどの基板として注目されている。近年のHVP... [more] ED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35
pp.97-100
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
13:50
福井 福井大学 ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価
徳田 豊松岡陽一妹尾 武愛知工大)・上田博之石黒 修副島成雅加地 徹豊田中研ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n+基板上にn層(10 μm, S... [more] ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
pp.85-88
EMD, CPM, OME
(共催)
2007-06-29
16:00
東京 機械振興会館 熱光学スイッチ/水晶振動子におけるシリコンウェハの重要性 ~ 128×128マトリックス光スイッチ/セラミックPKGシートの置き換え ~
渡邊隆彌FT design Lab.EMD2007-16 CPM2007-34 OME2007-20
導体製造技術を基本に作製される。特に光デバイスや水晶振動子においても
材料面で大口径シリコンウェハを使用することの重要... [more]
EMD2007-16 CPM2007-34 OME2007-20
pp.21-26
EMD 2006-12-15
14:15
東京 機械振興会館 究極の水晶振動子へのアプローチ
渡邊隆彌FT Design Lab.
水晶振動子は、エレクトロ・メカニカル部品の代表であり、機械エネルギーで蓄積する系の方が電気エネルギーで蓄積する系より10... [more] EMD2006-59
pp.9-14
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