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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
09:40
愛媛 愛媛県男女共同参画センター FiCCを用いたCMOS互換な不揮発性メモリ実現に向けた素子特性測定
田中一平宮川尚之木村知也今川隆司越智裕之立命館大VLD2019-36 DC2019-60
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] VLD2019-36 DC2019-60
pp.63-68
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
14:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター 3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化手法
阿部真輝竹内 健中大ICD2019-30 IE2019-36
NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネ... [more] ICD2019-30 IE2019-36
pp.7-12
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
15:45
愛媛 愛媛県男女共同参画センター QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計
高井良貴福地 守松井千尋木下怜佳竹内 健中大ICD2019-41 IE2019-47
NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより,容量密度を大きくし,ビットコストを低減させてきた... [more] ICD2019-41 IE2019-47
pp.59-63
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:45
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題
三谷祐一郎関 春海浅野孝典中崎 靖東芝メモリR2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
pp.35-38
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
09:00
広島 サテライトキャンパスひろしま FiCCを用いたCMOS互換な超低消費電力不揮発性メモリ素子の特性測定回路の設計と試作
田中一平宮川尚之木村知也今川隆司越智裕之立命館大VLD2018-65 DC2018-51
本稿では,低廉な通常のCMOSプロセスで製造でき,かつ,書き込みや消去に必要な電流が極めて小さい不揮発性メモリ素子と,そ... [more] VLD2018-65 DC2018-51
pp.183-188
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
13:45
広島 サテライトキャンパスひろしま SCM/NANDフラッシュハイブリッドストレージにおけるアプリケーション特性に応じたSCM容量の自律最適化手法
松井千尋竹内 健中大CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73
ストレージクラスメモリ(SCM)をNAND型フラッシュメモリの不揮発性キャッシュとして用いることで,ハイブリッドストレー... [more] CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73
pp.29-30
DC, SS
(共催)
2018-10-04
14:25
愛知 犬山国際観光センター「フロイデ」 NANDフラッシュメモリにおける信頼性に合わせた多段階誤り訂正
小倉 涼北神正人千葉大SS2018-19 DC2018-20
 [more] SS2018-19 DC2018-20
pp.7-12
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
15:00
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 3D-NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路の研究 ~ 従来のLUT方式、平面型との比較 ~
鈴木章矢渡辺重佳湘南工科大SDM2018-43 ICD2018-30
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい回路設計を提案した。また従来の方式(平面型LUT方式、積層型LUT方式)と提... [more] SDM2018-43 ICD2018-30
pp.95-100
ICD 2018-04-19
10:10
東京 機械振興会館 3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法
鈴木 峻出口慶明中村俊貴溝口恭史竹内 健中大ICD2018-1
NAND型フラッシュメモリ向けの高信頼化手法として Asymmetric Coding(AC)が提案されている.本研究で... [more] ICD2018-1
pp.1-6
ICD 2018-04-19
10:35
東京 機械振興会館 ヘテロジニアスストレージにおけるアプリケーションに応じた不揮発性メモリ構成の最適化
松井千尋竹内 健中大ICD2018-2
データセンターストレージでは特性の異なるストレージアプリケーションに適切な半導体不揮発性メモリを組み合わせることが必要で... [more] ICD2018-2
pp.7-10
ICD 2018-04-20
11:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology
Hiroshi MaejimaKazushige KandaSusumu FujimuraTeruo TakagiwaSusumu OzawaJumpei SatoYoshihiko ShindoManabu SatoNaoaki KanagawaJunji MushaSatoshi InoueKatsuaki SakuraiToshifumi HashimotoTMC)・Hao NguyenKen CheahHiroshi SugawaraSeungpil LeeWDC)・Toshiki HisadaTetsuya KanekoHiroshi NakamuraTMCICD2018-10
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] ICD2018-10
pp.39-44
SDM 2018-01-30
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術
溝口恭史小滝翔平出口慶明竹内 健中大SDM2017-93
Near Data Computingでは, アプリケーションの一部を高速に処理するためにSSDコントローラー内に多くの... [more] SDM2017-93
pp.9-12
SDM 2018-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-M... [more] SDM2017-94
pp.13-16
EMM, IT
(共催)
2017-05-23
14:00
山形 山形大学(米沢キャンパス) ハミング符号を用いたコセット符号化によるParallel RIO符号の構成
山脇 章鎌部 浩路 サン岐阜大IT2017-13 EMM2017-13
Random I/O(RIO)符号は,複数のレベルをもつフラッシュメモリにおいて1つの論理ページを1回のしきい値判定によ... [more] IT2017-13 EMM2017-13
pp.73-78
ICD 2017-04-20
13:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路
鶴見洸太田中誠大竹内 健中大ICD2017-5
IoTローカルデバイスに組み込まれるデータストレージとしてNAND型フラッシュメモリが注目されている。IoTローカルデバ... [more] ICD2017-5
pp.23-28
ICD 2017-04-20
14:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術
中村俊貴小林惇朗竹内 健中大ICD2017-6
クラウドデータセンタでは、読み出しが頻繁に行われるホットデータからほとんど読み出しが行われないコールドデータまで、様々な... [more] ICD2017-6
pp.29-34
ICD 2017-04-20
14:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立ICD2017-7
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] ICD2017-7
pp.35-38
ICD 2017-04-20
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術
中野全也伊藤 孝山内忠昭山口泰男河野隆司日高秀人ルネサス エレクトロニクスICD2017-8
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] ICD2017-8
pp.39-44
ICD 2017-04-20
16:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology
Ryuji YamashitaSagar MagiaWDC)・Tsutomu HiguchiKazuhide YoneyaToshio YamamuraToshiba)・Hiroyuki MizukoshiShingo ZaitsuMinoru YamashitaShunichi ToyamaNorihiro KamaeJuan LeeShuo ChenJiawei TaoWilliam MakXiaohua ZhangWDCICD2017-9
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] ICD2017-9
pp.45-50
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-03-09
15:50
沖縄 具志川農村環境改善センター ソフトウェア制御型SSDを用いたゲノム解析向けデータ近傍演算の高速化
桑村慎哉風間 哲吉田英司小川淳二三吉貴史野口泰生富士通研CPSY2016-139 DC2016-85
データ移動コストを削減してシステムを高速化するため、メモリの近傍で演算を行うデータ近傍演算が最近注目されている。今回、我... [more] CPSY2016-139 DC2016-85
pp.45-50
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