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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2021-03-03
11:30
ONLINE オンライン開催 化学溶液析出法によるZnOナノロッド/CuOおよびZnO/Cu₂Oヘテロ接合の作製
大本拓馬寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専CPM2020-64
酸化銅(II)(CuO)薄膜と酸化銅(I)(Cu₂O)薄膜が,それぞれpH 10に調整された硝酸銅(II)三水和物を用い... [more] CPM2020-64
pp.34-37
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
17:10
東京 慶應義塾大学 III-V/Siハイブリッド光集積回路に向けたチップオンウェーハプラズマ活性化接合の検討
白 柳東工大)・菊地健彦住友電工)・御手洗拓矢西山伸彦東工大)・八木英樹住友電工)・雨宮智宏荒井滋久東工大OPE2018-127 LQE2018-137 SIPH2018-43
 [more] OPE2018-127 LQE2018-137 SIPH2018-43
pp.149-153
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
10:25
愛知 名古屋工業大学 化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成
小原翔平・○寺迫智昭難波 優橋国直人愛媛大)・矢木正和香川高専)・野本淳一山本哲也高知工科大ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98
硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンとの混合水溶液を用いた化学溶液析出法(CBD法)によってイオンプレーティング法... [more] ED2018-44 CPM2018-78 LQE2018-98
pp.55-60
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
13:40
静岡 静岡大学 浜松キャンパス Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性
増田裕一郎長瀬 剛国枝 航光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2017-31
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法(CVD)により,c面サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)薄膜の... [more] EID2017-31
pp.5-8
OME 2017-12-01
13:30
佐賀 サンメッセ鳥栖 [招待講演]イオンプレーティング法GZOシード層上へのZnOナノロッドのCBD成長とZnOナノロッド/PEDOT:PSSヘテロ構造の形成
寺迫智昭大西航揮小原翔平福岡良太愛媛大)・野本淳一山本哲也高知工科大OME2017-43
イオンプレーティング法ZnO:Ga(GZO)シード層上に硝酸亜鉛六水和物及びヘキサメチレンテトラミンの混合水溶液を用いた... [more] OME2017-43
pp.37-42
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
14:50
愛知 名古屋工業大学 マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性
早川峰洋林 佑樹長瀬勇樹市川修平熊本恭介柴岡真美船戸 充川上養一京大ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65
近年,AlGaN/Al(Ga)N量子井戸を用いた深紫外LEDの研究が進展をみせており,メーカーによる市販化も始まった.し... [more] ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65
pp.15-18
LQE, OPE, OCS
(共催)
2016-10-27
17:00
宮崎 宮崎市民プラザ(宮崎) フラットバンド構造内に挿入された超格子におけるミニバンド形成過程とキャリア輸送評価
中村 翼松落高輝武田秀明宮崎大)・Kasidit Toprasertpong杉山正和中野義昭東大)・鈴木秀俊碇 哲雄福山敦彦宮崎大OCS2016-45 OPE2016-86 LQE2016-61
超格子のミニバンドを利用した量子井戸太陽電池や量子カスケードレーザーでは、ミニバンド内で再結合させずにキャリア輸送する必... [more] OCS2016-45 OPE2016-86 LQE2016-61
pp.61-64
CPM 2014-09-05
09:30
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 減圧MOCVD法による非極性窒化ガリウム膜の成長とその特性
寺口祐介三宅祐介西山智哉長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・玉山泰宏・○安井寛治長岡技科大CPM2014-83
減圧MOCVD法を用いてr面サファア基板上に非極性GaN結晶膜を成長させた。低温バッファー層を挿入した二段階成長、更に中... [more] CPM2014-83
pp.43-47
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-24
15:16
静岡 静岡大学 InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価
村越尚輝トウヒドル イスラム福田武司鎌田憲彦埼玉大)・荒川泰彦東大EID2012-21
時間分解フォトルミネッセンス(PL)および非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長... [more] EID2012-21
pp.49-52
CPM 2012-10-27
12:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行豊田英之長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-111
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し,... [more] CPM2012-111
pp.97-100
EMD, CPM, OME
(共催)
2012-06-22
15:35
東京 機械振興会館 塩化亜鉛を原料に用いた溶液成長法によるZnOナノロッドの成長と形状制御
寺迫智昭村上聡宏愛媛大)・矢木正和香川高専)・白方 祥愛媛大EMD2012-12 CPM2012-29 OME2012-36
塩化亜鉛(ZnCl$_2$)水溶液を用いた溶液成長法(CBD: Chemical Bath Deposition)によっ... [more] EMD2012-12 CPM2012-29 OME2012-36
pp.23-28
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
2012-01-27
14:38
秋田 秋田大学 手形キャンパス Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価
石岡 亮五十嵐航平福田武司埼玉大)・下村康夫三菱化学)・鎌田憲彦埼玉大EID2011-19
高効率、高信頼な蛍光体材料の探索が続けられている.ピーク波長525nmで,250nmから450nm付近での励起が可能なB... [more] EID2011-19
pp.21-24
CPM 2011-08-10
14:15
青森 弘前大学 文京町キャンパス SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
大谷孝史姉崎 豊浅野 翔加藤有行長岡技科大)・成田 克山形大)・中澤日出樹弘前大)・加藤孝弘・○安井寛治長岡技科大CPM2011-59
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後, Ge, SiC... [more] CPM2011-59
pp.15-20
EMD, CPM, OME
(共催)
2011-06-30
16:30
東京 機械振興会館 Biと希土類元素を共添加したバナデートベース酸化物蛍光体薄膜のPL及びEL特性
宮田俊弘南 内嗣金沢工大EMD2011-17 CPM2011-53 OME2011-31
多色発光の実現を目的に、Biと希土類元素を共添加したバナデートベース酸化物蛍光体薄膜を作製し、そのフォトルミネッセンス(... [more] EMD2011-17 CPM2011-53 OME2011-31
pp.53-57
EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL
(連催)
2011-01-28
13:45
高知 高知工科大学 研究教育棟B Ba3Si6012N2:Eu2+蛍光体のフォト-及び熱ルミネッセンス評価
石岡 亮五十嵐航平福田武司埼玉大)・木島直人三菱化学)・鎌田憲彦埼玉大EID2010-28
白色LEDでの緑色発光源として有望なBa3Si6O12N2:Eu2+蛍光体に対して,内部量子効率,フォトルミネッセンス(... [more] EID2010-28
pp.25-28
LQE, OPE, OCS
(共催)
2010-10-29
10:10
福岡 門司港レトロ・港ハウス カルコパイライト型半導体AgGaSe2の異方性熱物性値
永岡 章吉野賢二宮崎大OCS2010-74 OPE2010-110 LQE2010-83
I-III-VI2族カルコパイライト型半導体は、太陽電池をはじめ、LEDや非線形光学素子等のオプトエレクトロニクスデバイ... [more] OCS2010-74 OPE2010-110 LQE2010-83
pp.113-116
LQE, OPE, OCS
(共催)
2010-10-29
10:35
福岡 門司港レトロ・港ハウス カルコパイライト型半導体AgGaSe2結晶の光学評価による物性解析
永岡 章・○吉野賢二宮崎大OCS2010-75 OPE2010-111 LQE2010-84
三元系カルコパイライト型半導体は、多元系という特性のためSiやGeといった元素半導体では得られない有益な物性値を持ってい... [more] OCS2010-75 OPE2010-111 LQE2010-84
pp.117-120
CPM 2010-10-29
10:25
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
永田一樹里本宗一長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・○安井寛治長岡技科大CPM2010-102
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2010-102
pp.55-58
ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD
(共催)
2010-01-28
14:20
福岡 九州大学(筑紫地区) InGaN量子井戸中の非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス評価
山口朋彦五十嵐航平福田武司本多善太郎鎌田憲彦埼玉大
非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起フォトルミネセンス法を用いて,障壁層と... [more] EID2009-55
pp.33-36
CPM 2009-08-11
12:05
青森 弘前大学 Biサーファクタントを用いた通信波長帯量子ドットの成長と評価
岡本 浩弘前大)・俵 毅彦後藤秀樹鎌田英彦寒川哲臣NTTCPM2009-46
MOVPE成長による通信波長帯量子ドットの作成において、成長時におけるTMBiの添加が光学特性の向上と発光の長波長化に有... [more] CPM2009-46
pp.67-72
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