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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| WIT, HI-SIGACI (連催) |
2023-12-06 13:25 |
東京 | 産総研臨海副都心センター（東京） | 3DプリンタによるPLA(ポリ乳酸)樹脂素材とグラスウールを練り込んだポリプロピレン樹脂素材を使用した足底装具の比較について ○大西忠輔（城西国際大）・福島輝夏（千葉リハ）  WIT2023-26 |
ハンドメイドによる足底装具製作において，一般的に熱可塑性プラスチックが多く使われる．なかでも装具の素材は，ポリエチレン系... [more] | WIT2023-26 pp.9-12 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 09:30 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］フィラメント制御による28nm混載メモリ向けReRAM開発 ○早川幸夫・姫野敦史・安原隆太郎・藤井 覚・伊藤 理・川島良男・池田雄一郎・川原昭文・河合 賢・魏 志強・村岡俊作・島川一彦・三河 巧・米田慎一（パナソニック） SDM2015-57 ICD2015-26 |
２８ｎｍ混載メモリ向けとして、耐熱性に優れ、フィラメント制御が可能なＴａＯｘ ＲｅＲＡＭ素子を提案する。その為に、我々は... [more] | SDM2015-57 ICD2015-26 pp.1-5 |
| SDM | 2015-06-19 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） SDM2015-52 |
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため，ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり，同... [more] | SDM2015-52 pp.75-80 |
| WIT, ASJ-H (共催) |
2015-02-13 14:45 |
愛媛 | 愛媛大学城北地区キャンパス | モノフィラメントを利用した表在感覚検査値のばらつきに関する実験的検討 ○近井 学（産総研）・小澤恵美（昭和伊南総合病院）・高橋紀代（篤友会リハビリテーションクリニック）・井野秀一（産総研） WIT2014-75 |
糖尿病性神経障害の臨床病期分類の表在感覚機能の障害を計る方法にSemmes-Weinstein Monofilament... [more] | WIT2014-75 pp.17-20 |
| SDM | 2014-06-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-57 |
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] | SDM2014-57 pp.75-78 |
| SDM | 2013-11-15 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | Pt/TiO2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証 ○大村泰久・近藤祐介（関西大） SDM2013-108 |
本報告では、Pt/TiO2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証を行うに当たり、TiO2膜におけ... [more] | SDM2013-108 pp.49-54 |
| SDM | 2013-06-18 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果 ○上沼睦典（阪大）・番 貴彦・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-55 |
シリコン酸化膜中にFe3O4ナノ粒子を埋め込むことで安定した抵抗変化スイッチング動作が確認された。バイオ鋳型を用いてナノ... [more] | SDM2013-55 pp.57-60 |
| ICD | 2013-04-11 11:40 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］書き換え1000万回超のReRAMを実現する微細フィラメント形成技術及びレベルベリファイ書込み方式 ○川原昭文・河合 賢・池田雄一郎・加藤佳一・東 亮太郎・吉本裕平・田邊浩平・魏 志強・二宮健生・片山幸治・村岡俊作・姫野敦史・島川一彦・高木 剛・青野邦年（パナソニック） ICD2013-4 |
1T1R型ReRAMメモリアレイにおいて、書き換え回数が従来の10倍以上の1000万回超の性能と、微細プロセスに対応可能... [more] | ICD2013-4 pp.15-20 |
| MBE, NC (併催) |
2007-12-22 12:05 |
愛知 | 名古屋大学 | フィラメントの挙動に基づくスパイラルリエントリの持続および消滅の判定についての検討 ～ コンピュータシミュレーションを用いた致死性不整脈の発生危険度予測システムの開発を目指して ～ ○藤堂貴弘（姫路獨協大）・原口 亮（国立循環器病センター）・難波経豊（香川県立保健医療大）・八尾武憲・芦原貴司（滋賀医科大）・東 将浩（国立循環器病センター）・稲田 紘（兵庫県立大）・中沢一雄（国立循環器病センター） MBE2007-75 |
我々はコンピュータシミュレーションによる致死的不整脈の発生危険度予測システムの開発を目指している．これまで我々が開発した... [more] | MBE2007-75 pp.13-16 |
| SDM | 2007-03-15 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討 ○佐藤嘉洋・木下健太郎・能代英之・青木正樹・杉山芳弘（富士通研） |
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を... [more] | SDM2006-255 pp.7-10 |
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