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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
US, EA
(併催)
2018-01-23
13:00
大阪 関西大学 [ポスター講演]フォノニック結晶による超音波伝搬と光学的可視化
真鍋健輔石川 篤神田岳史鶴田健二岡山大US2017-95
音響特性が異なる物質を周期的に配置したフォノニック結晶を用いると,通常の音響材料では観測できない負の屈折現象を引き起こす... [more] US2017-95
pp.67-69
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
14:20
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
志村洋介静岡大)・竹内和歌奈坂下満男黒澤昌志中塚 理財満鎭明名大SDM2016-5 OME2016-5
Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御... [more] SDM2016-5 OME2016-5
pp.23-26
OME 2013-10-11
11:20
大阪 阪大中之島センター 時間領域差分法を用いたコレステリックブルー相液晶の光学特性解析
小川康宏吉田浩之尾崎雅則阪大OME2013-55
コレステリックブルー相液晶は自発的に光の波長程度の3次元周期構造を形成する液晶相であり、その光学的等方性や電界に対する高... [more] OME2013-55
pp.23-26
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
14:30
大阪 大阪市立大学 ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析
波多腰玄一布上真也東芝ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114
ウルツ鉱構造InGaNでは伝導帯側にバンドギャップエネルギーと同じオーダーのエネルギー差を持つバンドがあり,これを介した... [more] ED2012-86 CPM2012-143 LQE2012-114
pp.97-101
ED 2011-07-30
12:05
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析
佐藤 純町田史晴原 紳介藤代博記東京理科大ED2011-53
テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして,高い電子移動度を示すInAsをチャネルに用いたデバイスが注... [more] ED2011-53
pp.79-84
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
14:20
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究
白石賢二岩田潤一筑波大/JST)・小幡輝明筑波大)・押山 淳東大/JSTED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接... [more] ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117
pp.47-50
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
14:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]Theoretical study on graphene field-effect transistors
Eiichi SanoHokkaido Univ./JST)・Taiichi OtsujiTohoku Univ../JSTED2009-62 SDM2009-57
Graphene is one of the most attractive materials for“beyond ... [more] ED2009-62 SDM2009-57
pp.53-58
ED 2009-06-12
09:30
東京 東京工業大学 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析
西野啓之川平一太原 伸介藤代博記東京理科大ED2009-44
InAsやInSb等のナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いたデバイスは,テラヘルツ応用やポストSi CMOS 等の... [more] ED2009-44
pp.41-46
CAS, NLP
(共催)
2005-09-16
16:15
新潟 長岡技術科学大学 回路理論を利用した層幅変調超格子のバンド構造の推定法
浅倉邦彦米子高専)・小栗栖 修金沢大)・真田博文北海道工大)・鈴木正清北見工大
本論文では,層幅を変調した変調超格子は,ポテンシャル包絡を変調した超格子と同様に透過確率がほぼ1の通過域,ほぼ0の阻止域... [more] CAS2005-46 NLP2005-59
pp.73-77
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