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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| AP, MW (併催) |
2022-09-15 12:25 |
愛媛 | 愛媛県美術館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
300GHz帯4並列バイポーラトランジスタのマクロモデルの作成と検証 ○那須南美（東京理科大）・原 紳介・笠松章史（NICT）・楳田洋太郎・高野恭弥（東京理科大）  MW2022-77 |
本研究では300 GHz帯に対応する4並列バイポーラトランジスタモデルを簡易に作成することを目的とし、バイアス可変のマク... [more] | MW2022-77 pp.48-51 |
| CAS, ICTSSL (共催) |
2021-01-28 09:15 |
ONLINE | オンライン開催 | LSTMのための非線形バイポーラトランジスタの微分方程式について ○王 成・洪 沫勇・何 志輝・小澤和也・磯貝海斗・岡崎秀晃（湘南工科大） CAS2020-37 ICTSSL2020-22 |
本報告では, LSTMのための非線形NPNバイポーラトランジスタ微分方程式について報告する． まず，非線形NPNバイポ... [more] |
CAS2020-37 ICTSSL2020-22 pp.1-3 |
| MSS, CAS, SIP, VLD (共催) |
2020-06-18 10:50 |
ONLINE | オンライン開催 | RF電力増幅器のAM-AM/PM特性の検討 ○田中 聡（村田製作所） CAS2020-3 VLD2020-3 SIP2020-19 MSS2020-3 |
5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100~400 MHzと広帯域化されるとともに，DC (Dual Connecti... [more] | CAS2020-3 VLD2020-3 SIP2020-19 MSS2020-3 pp.11-16 |
| MW | 2020-06-04 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 負性抵抗を制御したコレクタ接地のバイポーラトランジスタを持つマイクロ波発振器 ○山本裕生・佐薙 稔（岡山大） MW2020-14 |
パッケージ化されたバイポーラトランジスタをコレクタ接地で用いると帰還回路がなくてもベースから見て負性抵抗を示すので，ベー... [more] | MW2020-14 pp.17-22 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・野坂秀之・松崎秀昭（NTT） ED2019-82 |
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] | ED2019-82 pp.23-28 |
| MW | 2019-05-16 14:20 |
大阪 | 摂南大学 | バイポーラトランジスタを持つ伝送線路帰還型F級発振器を用いたマイクロ波-直流相互変換 ○佐薙 稔・若山瑠佑（岡山大） MW2019-13 |
バイポーラトランジスタを用いた伝送線路帰還型F級発振器を使用してマイクロ波電力を直流電力に変換する実験を行った．発振器に... [more] | MW2019-13 pp.19-24 |
| CAS, CS (共催) |
2019-03-09 14:35 |
神奈川 | 湘南工科大学 | 携帯電話用ヘテロ接合バイポーラトランジスタ適用電力増幅器の非線形解析 ○田中 聡（村田製作所） CAS2018-154 CS2018-122 |
5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100 ~ 400MHzと広帯域化されるとともに，DC (Dual Connect... [more] | CAS2018-154 CS2018-122 pp.87-92 |
| ED, MW (共催) |
2018-01-25 16:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階研修2号室 | SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 ○白鳥悠太・星 拓也・井田 実・松崎秀昭（NTT） ED2017-96 MW2017-165 |
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ（DHBT... [more] | ED2017-96 MW2017-165 pp.15-18 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:30 |
京都 | 京都大学 | Si太陽電池とLEDマトリクスからなる超高出力トランジスタとサイリスタ ○岡本研正（光半導体デバイス応用技術研） |
Siバイポーラトランジスタを作るにはPNPあるいはNPNの３層構造の素子を作らねばならない。またSiサイリスタを作るには... [more] | |
| MW | 2017-05-19 13:25 |
大阪 | 大阪大学豊中キャンパス（大阪大学会館 セミナー室１） | バイポーラトランジスタを用いた並列帰還形発振器によるマイクロ波-直流相互変換 ○佐薙 稔・好森友哉（岡山大） MW2017-19 |
バイポーラトランジスタを用いた並列帰還形発振器を使用してマイクロ波電力を直流電力に変換する実験を行った．発振周波数が2.... [more] | MW2017-19 pp.65-69 |
| MW | 2016-05-20 14:25 |
京都 | 京都大学 宇治キャンパス | 直列帰還形発振器を用いたマイクロ波-直流変換 ○佐薙 稔・河野一輝（岡山大） MW2016-24 |
バイポーラトランジスタを用いた直列帰還形発振器を使用してマイクロ波電力を直流電力に変換する実験を行った．試作した発振器を... [more] | MW2016-24 pp.73-76 |
| MW | 2016-05-20 14:50 |
京都 | 京都大学 宇治キャンパス | コレクタ接地されたバイポーラトランジスタを用いたマイクロ波発振器とマイクロ波-直流変換への応用 佐薙 稔・○中田貴大（岡山大） MW2016-25 |
あるバイポーラトランジスタをコレクタ接地で用いると，帰還回路なしでベース端子から見て負性抵抗となることを示した．よって，... [more] | MW2016-25 pp.77-82 |
| ED | 2014-07-10 16:10 |
愛知 | 豊橋技科大VBL | 電流増幅機能をもった酸化還元センサの開発 ○高橋 聡（豊橋技科大）・二川雅登（静岡大）・石田 誠・澤田和明（豊橋技科大） ED2014-47 |
酸化還元センサは複数種類のイオンを同時に計測できる特徴を有している。我々は、バイポーラトランジスタのベース端子と作用電極... [more] | ED2014-47 pp.13-16 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ○星 拓也・杉山弘樹・横山春喜・栗島賢二・井田 実（NTT） ED2011-130 MW2011-153 |
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] | ED2011-130 MW2011-153 pp.63-68 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-13 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 ○山本和也・久留須 整・宮下美代・鈴木 敏・井上 晃（三菱電機） ED2010-176 MW2010-136 |
本報告では，無線通信用に新しく検討した方向性結合器の設計と実験結果について述べる．GaAs-HBTプロセスを用いて検討し... [more] | ED2010-176 MW2010-136 pp.7-12 |
| VLD | 2010-03-10 15:25 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | 基板バイポーラ効果によるSEUとMCUの発生機構の検討 ○濱中 力（京都工繊大）・古田 潤・牧野紘明（京大）・小林和淑（京都工繊大）・小野寺秀俊（京大/JST） VLD2009-103 |
集積化が進むにつれ素子固有のエラー耐性は低下し，1bit が反転するSEU(Single Event Upset)，複数... [more] | VLD2009-103 pp.25-30 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱 ○山田真之・上澤岳史・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-182 MW2009-165 |
高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考... [more] | ED2009-182 MW2009-165 pp.43-48 |
| ED | 2009-06-12 10:20 |
東京 | 東京工業大学 | SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング ○武部直明・山下浩明・高橋新之助・齋藤尚史・小林 嵩・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-46 |
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の高速化にとって、ベースコレクタ間容量$C_{\{BC}}$の削減は重要である... [more] | ED2009-46 pp.51-55 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | GaAs方向性結合器付き検波回路の検討 ○山本和也・久留須 整・宮下美代・鈴木 敏・小川喜之・中山正敏（三菱電機） ED2008-210 MW2008-175 |
本報告では，無線通信用に新しく検討した方向性結合器付きのGaAs-HBT電力検波器の回路設計と実験結果について述べる．G... [more] | ED2008-210 MW2008-175 pp.71-76 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮 ○上澤岳史・山田真之・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2008-212 MW2008-177 |
あらまし InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超... [more] | ED2008-212 MW2008-177 pp.83-88 |
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