| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2012-04-24 14:15 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・奥村俊介（神戸大）・鈴木利一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大）  ICD2012-14 |
本論文では，低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する．提案技術は，プリチャージレスイコ... [more] | ICD2012-14 pp.73-78 |
| ICD | 2011-04-19 11:45 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 ○宮地幸祐・本田健太郎・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2011-13 |
SRAMのVTHのばらつきによる読み出し・書き込みマージン減少の解決のため，6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所... [more] | ICD2011-13 pp.71-76 |
| ICD | 2010-12-16 09:30 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 ○本田健太郎・宮地幸祐・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2010-95 |
8T-SRAMのアクセストランジスタをに局所的に電子を局所的に注入することによってしきい値電圧を非対称にし、ハーフセレク... [more] | ICD2010-95 pp.1-6 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]