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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-01-30 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大）  SDM2017-92 |
本研究では，酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた，Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] | SDM2017-92 pp.5-8 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 15:30 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討 ○小林正治・チャン キュンミン・上山 望・平本俊郎（東大） SDM2016-68 ICD2016-36 |
センサーネットワークを構成するIoTデバイスには，エナジーハーベスティング技術を利用して超低電圧・超低消費電力で動作する... [more] | SDM2016-68 ICD2016-36 pp.127-130 |
| SDM | 2016-01-28 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳 永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川 貴・昌原明植・遠藤和彦（産総研） SDM2015-122 |
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] | SDM2015-122 pp.9-12 |
| SDM | 2015-01-27 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 ○金 閔洙・若林勇希・中根了昌・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2014-137 |
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] | SDM2014-137 pp.9-12 |
| SDM | 2015-01-27 16:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証 ○森田行則・森 貴洋・福田浩一・水林 亘・右田真司・松川 貴・遠藤和彦・大内真一・柳 永勛・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-146 |
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] | SDM2014-146 pp.45-48 |
| SDM | 2014-11-06 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル ○呂 鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大） SDM2014-96 |
本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET(ADG-TFET)の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャ... [more] | SDM2014-96 pp.1-6 |
| ED | 2014-08-01 13:30 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | ［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 ○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大） ED2014-56 |
高いオン電流($I_{on}$)と低いオフ電流 ($I_{off}$) を低電源電圧で実現することは、論理回路応用の為に... [more] | ED2014-56 pp.19-24 |
| SDM | 2013-11-15 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル 大村泰久・○佐藤大貴・佐藤伸吾（関西大）・Abhijit Mallik（カルカッタ大） SDM2013-109 |
本報告では、LSIの低エネルギー化を目標として幅広く検討されているTunnel FETの実用的なモデルの構築を目指して、... [more] | SDM2013-109 pp.55-60 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上 ○森田行則・森 貴洋・右田真司・水林 亘・田邊顕人・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴・大内真一・柳 永シュン・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2013-66 ICD2013-48 |
トンネル電界効果トランジスタ (TFET) の特性を改善する新規なチャネル構造および電極構造を備えた合成電界TFETを提... [more] | SDM2013-66 ICD2013-48 pp.7-12 |
| SDM | 2012-11-16 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | Tunnel FETの非局所モデリング ～ デバイスモデルと回路モデル ～ ○福田浩一・森 貴洋・水林 亘・森田行則・田邊顕人・昌原明植・安田哲二・右田真司・太田裕之（産総研） SDM2012-111 |
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所... [more] | SDM2012-111 pp.63-68 |
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