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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-06-22
15:20
ONLINE オンライン開催 [依頼講演]シリコン量子計算機実現に向けたTFET型高温動作量子ビットの開発
森 貴洋産総研SDM2021-25
従来型コンピュータでは有限時間内に解を得られない大規模かつ高度に複雑な演算を実現するものとして、昨今量子コンピュータが高... [more] SDM2021-25
p.16
SDM 2018-11-08
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2018-66
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] SDM2018-66
pp.11-16
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
12:00
北海道 北海道大学情報教育館 ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション
浅井栄大森 貴洋服部淳一福田浩一遠藤和彦松川 貴産総研SDM2017-35 ICD2017-23
我々はSi チャネルトンネルトランジスタ(TFET)からなる相補型論理回路のTCAD シミュレーションを行い、ドレインオ... [more] SDM2017-35 ICD2017-23
pp.21-24
SDM 2017-01-30
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研SDM2016-130
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて,シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した.I... [more] SDM2016-130
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策
森 貴洋森田行則右田真司水林 亘福田浩一宮田典幸安田哲二昌原明植太田裕之産総研SDM2014-67 ICD2014-36
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] SDM2014-67 ICD2014-36
pp.29-34
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