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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2023-04-22 15:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］ガラス基板上のダブルゲート薄膜トランジスタ ○原 明人・野村海成・永吉輝央・新田誠英・鈴木 翔・伊藤悠人（東北学院大）  SDM2023-16 OME2023-16 |
我々は, ガラス基板上に高性能な薄膜トランジスタ(TFT)を実現することを目標に研究を進めている.本報告では多結晶４族系... [more] | SDM2023-16 OME2023-16 pp.59-62 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 15:30 |
京都 | 京都大学 | Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ ○西口尚希・内海弘樹・原 明人（東北学院大） EID2017-24 SDM2017-85 |
新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅... [more] | EID2017-24 SDM2017-85 pp.67-70 |
| OME, SDM (共催) |
2017-04-20 13:00 |
鹿児島 | 龍郷町生涯学習センター | 300℃プロセスによって形成した自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFTの開発 ○内海大樹・佐々木大精・関口竣也・竹内翔弥・原 明人（東北学院大） SDM2017-1 OME2017-1 |
IoTやトリリオンセンサ社会の実現に向けてフレキシブルデバイスやウェアラブルデバイスに対する期待が高まっている. これを... [more] | SDM2017-1 OME2017-1 pp.1-4 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 11:15 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | High-kゲート絶縁膜を有する自己整合四端子メタルダブルゲートNi-SPC LT poly-Si TFT 仁部翔太・○大澤弘樹・原 明人（東北学院大） SDM2016-15 OME2016-15 |
低温で安価な結晶化プロセスとしてニッケル(Ni)を利用した金属誘起固相成長（Ni-SPC）に注目し、 更にデバイス高性能... [more] | SDM2016-15 OME2016-15 pp.61-65 |
| SDM | 2014-11-06 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | 非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル ○呂 鴻飛・佐藤伸吾・大村泰久（関西大）・アブヒジット マリック（カルカッタ大） SDM2014-96 |
本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET(ADG-TFET)の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャ... [more] | SDM2014-96 pp.1-6 |
| ICD | 2014-04-18 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術 ○昌原明植・遠藤和彦・大内真一・松川 貴・柳 永勛・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之（産総研） ICD2014-15 |
20nm技術世代以降の集積回路における最大の課題は，トランジスタ微細化に伴う待機時消費電力の増大と，顕在化する特性ばらつ... [more] | ICD2014-15 pp.77-82 |
| SDM | 2013-11-15 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル 大村泰久・○佐藤大貴・佐藤伸吾（関西大）・Abhijit Mallik（カルカッタ大） SDM2013-109 |
本報告では、LSIの低エネルギー化を目標として幅広く検討されているTunnel FETの実用的なモデルの構築を目指して、... [more] | SDM2013-109 pp.55-60 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT ○尾形浩之・一條賢治・近藤健二・岡部泰典・鹿 裕将・加茂慎哉・原 明人（東北学院大） SDM2012-9 OME2012-9 |
マルチゲート多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）は近年注目を集め, 盛んに研究されているテーマの１つで... [more] | SDM2012-9 OME2012-9 pp.41-44 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2012-01-26 16:40 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路とパターン面積の検討 ○林 隆程・渡辺重佳（湘南工科大） VLD2011-119 CPSY2011-82 RECONF2011-78 |
再構成可能な2～6入力の論理回路のパターン設計を初めて行い、MOSダブルゲート型トランジスタ(DG)、 CNT型トランジ... [more] | VLD2011-119 CPSY2011-82 RECONF2011-78 pp.163-168 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 09:50 |
富山 | 富山県民会館 | MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路のパターン面積の検討 ○林 隆程・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2011-73 ICD2011-41 |
再構成可能な2～6入力の論理回路のパターン設計を初めて行い、MOSダブルゲート型トランジスタ(DG)、 CNT型トランジ... [more] | SDM2011-73 ICD2011-41 pp.13-16 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 15:10 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | MOSダブルゲート/ CNTトランジスタを用いた論理回路の設計法 ○林 隆程・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2010-148 ICD2010-63 |
3入力以上に対応可能なMOSダブルゲート型トランジスタとCNT型トランジスタを用いたダブルゲート型トランジスタの再構成可... [more] | SDM2010-148 ICD2010-63 pp.131-136 |
| ICD | 2009-12-14 13:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ［ポスター講演］3次元トランジスタを用いたシステムLSIのパターン面積の見積もり ○廣島 佑・渡辺重佳（湘南工科大） ICD2009-78 |
FinFET，ダブルゲートなどの各種３次元トランジスタを用いて，代表的な論理回路である全加算器をNAND等の基本回路のみ... [more] | ICD2009-78 pp.13-18 |
| SDM | 2009-10-29 16:45 |
宮城 | 東北大学 | SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性 ○阿部俊幸・田主裕一朗・黒木伸一郎・小谷光司・伊藤隆司（東北大） SDM2009-122 |
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造に... [more] | SDM2009-122 pp.27-30 |
| VLD | 2009-03-13 15:15 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | 各種3次元トランジスタを用いたシステムLSIのパターン面積縮小法 ○廣島 佑・渡辺重佳（湘南工科大） VLD2008-167 |
FinFET，ダブルゲートなどの各種３次元トランジスタを用いて，代表的な論理回路である全加算器をNAND等の基本回路のみ... [more] | VLD2008-167 pp.243-248 |
| VLD, ICD (共催) |
2008-03-07 16:10 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | 独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタを用いたシステムLSIの新レイアウト設計法 ○廣島 佑・岡本恵介・小泉圭輔・渡辺重佳（湘南工科大） VLD2007-168 ICD2007-191 |
FinFET以上の高密度化が実現できる独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタの新しいレイアウト法を提案した．最初に... [more] | VLD2007-168 ICD2007-191 pp.69-74 |
| VLD, ICD (共催) |
2008-03-07 16:35 |
沖縄 | 沖縄県男女共同参画センター | 独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタを用いたシステムLSIの高密度設計法 ○廣島 佑・岡本恵介・小泉圭輔・渡辺重佳（湘南工科大） VLD2007-169 ICD2007-192 |
独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタと，スタック型３次元トランジスタの特徴を併せ持つ独立したゲートを持つスタック... [more] | VLD2007-169 ICD2007-192 pp.75-80 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 09:50 |
北海道 | 北海道大学 | 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案 ○塙 裕一郎・坂田拓也・惣田崇志・韓 貴・森井久史・松原勝見・山下 進（静岡大）・長尾昌善・金丸正剛（産総研）・根尾陽一郎・青木 徹・三村秀典（静岡大） ED2007-246 SDM2007-257 |
高解像度X線画像の取得を目標として、FEAとCdTe素子を対向に配置したFEA駆動CdTe-X線イメージセンサを提案し、... [more] | ED2007-246 SDM2007-257 pp.47-50 |
| OME | 2006-07-27 14:20 |
神奈川 | パシフィコ横浜 | ダブルゲート構造による有機CMOS回路の低電圧駆動 ○比津和樹・関谷 毅（東大）・島田よう子・大月 穣（日大）・高宮 真・桜井貴康・染谷隆夫（東大） |
我々はこれまでに、ダブルゲート構造によって有機トランジスタの閾値電圧が制御できることを報告してきた。その結果を応用し、閾... [more] | OME2006-56 pp.33-35 |
| ICD, VLD (共催) |
2006-03-10 16:00 |
沖縄 | メルパルク沖縄 | ３次元型トランジスタによるＬＳＩのパターン面積の縮小効果の検討 ○渡辺重佳（湘南工科大） |
代表的な３次元型トランジスタ（FinFET/TIS型、SGT型、ダブルゲート型）導入によるLSIのパターン面積の縮小効果... [more] | VLD2005-133 ICD2005-250 pp.67-72 |
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