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 34件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2023-06-09
10:45
宮城 東北大(通研)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
時間変調メタマテリアルに向けたスピン流誘起透磁率制御
児玉俊之菊池伸明岡本 聡大野誠吾冨田知志東北大MRIS2023-6
我々はスピントルク強磁性共鳴法を用いて、Ta/Py/Pt3層構造からなる磁性メタマテリアルの透磁率変調について研究を行っ... [more] MRIS2023-6
pp.32-36
MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG
(連催)
2019-10-18
13:30
福岡 九州大学 (西新プラザ) 熱起因現象を意識したCoFeB/Pt二層膜におけるスピンダイナミクスの評価
宮﨑圭司屋冨祖 稔木村 崇九大MRIS2019-34
強磁性/非磁性二層におけるスピンダイナミクスでは、スピン軌道トルクによるスピンダイオード効果やスピンポンピングによる逆ス... [more] MRIS2019-34
pp.113-114
MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG
(連催)
2019-10-18
14:00
福岡 九州大学 (西新プラザ) 層間結合した強磁性多層膜における非線形スピンダイナミクスの観測
屋冨祖 稔宮崎圭司木村 崇九大MRIS2019-36
複数の磁性層を持つ磁性多層膜において、マイクロ波を照射すると、各磁性層の共鳴状態に対応した磁化の歳差運動が励起される。こ... [more] MRIS2019-36
pp.117-118
MRIS, ITE-MMS, IEE-MAG
(連催)
2019-10-18
14:30
福岡 九州大学 (西新プラザ) 非局所スピン注入によるラシュバ・エデルシュタイン効果の電気的検出
伊藤大樹木村 崇九大MRIS2019-38
PtやBiなどの常磁性重金属はその高いスピン軌道相互作用から、スピン-電気変換に対する有効な場として、研究されてきた。本... [more] MRIS2019-38
pp.123-125
SCE 2018-04-20
13:15
東京 機械振興会館 Co/Bi2212/Co複合構造における臨界電流の磁場依存性
木村 椋村田健一郎八巻和宏入江晃亘宇都宮大SCE2018-1
層状酸化物高温超伝導体Bi2Sr2CaCu2Oy(Bi2212)に内在する固有ジョセフソン接合は,超伝導層が極めて薄いこ... [more] SCE2018-1
pp.1-5
SCE 2017-04-21
14:35
東京 機械振興会館 Bi2212単結晶薄片におけるスピン依存輸送特性
村田健一郎大高和人八巻和宏入江晃亘宇都宮大SCE2017-9
超伝導デバイスやスピンデバイスは,巨視的量子現象を直接制御・利用することから,半導体を基盤とした従来電子デバイスに比べ,... [more] SCE2017-9
pp.47-51
ICD 2017-04-20
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM
土田賢二東芝)・Kwangmyoung RhoDongkeun KimSK hynix)・白井 豊東芝)・Jihyae BaeSK hynix)・稲場恒夫野呂寛洋東芝)・Hyunin MoonSungwoong ChungSK hynix)・須之内一正東芝)・Jinwon ParkKiseon ParkSK hynix)・山本明人東芝)・Seoungju ChungHyeongon KimSK hynixICD2017-3
開発した4Gb STT-MRAMは、垂直記録型TMR素子を採用した1T1MTJ型のメモリセルを導入する事で90nm×90... [more] ICD2017-3
pp.11-16
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-10-21
11:35
福岡 九州大学西新プラザ 強磁性共鳴を用いた熱励起スピン流の高効率生成
山野井一人横谷有紀木村 崇九大
これまでに我々は磁性薄膜にマイクロ波を照射することで強磁性共鳴を励起し、共鳴に付随して生じる磁性加熱効果に関して報告を行... [more]
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-10-21
11:55
福岡 九州大学西新プラザ 横型スピンバルブにおける間接的な熱スピン信号の検出
植松銀河野村竜也木村 崇九大MR2016-29
近年、熱流からスピン流が生じる熱スピン注入現象が注目されている。その一つが、熱により強磁性体から非磁性体にスピン流を注入... [more] MR2016-29
pp.55-57
SDM 2015-03-02
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
角田浩司青木正樹能代英之射場義久吉田親子山崎裕一高橋 厚畑田明良中林正明杉井寿博超低電圧デバイス技研組合SDM2014-166
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性... [more] SDM2014-166
pp.23-28
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合SDM2014-68 ICD2014-37
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2014-01-24
14:55
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 Fe3Siを用いた動力学的手法による高効率スピン注入の実現
市場昂基安藤裕一郎阪大)・山田晋也九大)・仕幸英治阪市大)・新庄輝也阪大)・浜屋宏平九大)・白石誠司阪大MR2013-36
近年, エネルギー損失のない情報伝達の手段として, 純スピン流の制御が大きな注目を浴びている. 一般的なスピン生成手法で... [more] MR2013-36
pp.21-24
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
16:35
東京 中央大学 スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討
伊藤順一與田博明藤田 忍下村尚治北川英二安部恵子野村久美子野口紘希東芝MR2013-13
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] MR2013-13
pp.37-41
ICD 2013-04-11
09:50
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ
角田浩司能代英之吉田親子山崎裕一高橋 厚射場義久畑田明良中林正明長永隆志青木正樹杉井寿博超低電圧デバイス技研組合ICD2013-2
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界... [more] ICD2013-2
pp.5-10
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2013-01-25
16:40
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入
小池真利子仕幸英治安藤裕一郎新庄輝也阪大)・山田晋也浜屋宏平九大)・白石誠司阪大MR2012-43
ゲルマニウム(Ge)は半導体の中でも高い電界効果移動度を有する材料であり、かつ、その結晶成長技術の向上により、近年、CM... [more] MR2012-43
pp.25-28
ICD 2012-12-17
13:30
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [招待講演]混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合ICD2012-90
本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して,開発の背景... [more] ICD2012-90
pp.17-20
ED 2012-07-27
11:25
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験
日高志郎近藤太郎赤堀誠志・○山田省二北陸先端大ED2012-52
高In組成(75 %)InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス試料表面にCo0.8Fe0.2電極を複数配置した横方向ス... [more] ED2012-52
pp.61-65
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2012-01-19
15:15
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 スピンポンピングを用いたp型Siへの室温スピン注入とスピン輸送
久保和樹仕幸英治阪大)・安藤和也斎藤英治東北大)・新庄輝也白石誠司阪大MR2011-36
Siは結晶の反転対称性が良いことに起因してスピン軌道相互作用が小さく、半導体材料の中でもスピンコヒーレンスがよい。これま... [more] MR2011-36
pp.21-25
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2012-01-20
09:00
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 超高精細スピン注入型空間光変調素子の光変調特性
町田賢司船橋信彦青島賢一加藤大典久我 敦菊池 宏NHK)・石橋隆幸長岡技科大)・清水直樹NHKMR2011-37
視域角の広い電子ホログラフィーの実現を目指し,サブミクロン磁性体に電流を流すことによって高速スイッチングが可能なスピン注... [more] MR2011-37
pp.41-46
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2011-10-13
15:00
新潟 柏崎エネルギーホール、新潟 [招待講演]NiFe/MgO/Ag接合を用いた面内スピンバルブ構造におけるスピン蓄積信号の増大
福間康裕王 楽理研)・井土 宏東大)・大谷義近東大/理研MR2011-12
面内スピンバルブ構造を用いた非局所スピン注入法は、純スピン流に関する学理のみならず新しいスピントロニクス素子を実現する手... [more] MR2011-12
pp.19-23
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