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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, HWS, ICD
(共催)
2024-03-01
14:50
沖縄 沖縄県男女共同参画センター【てぃるる】会議室1・2・3
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
電源TSVのテストにおけるサンプリングによる欠陥カバレッジ推定
蜂屋孝太郎川上雄大帝平大VLD2023-129 HWS2023-89 ICD2023-118
3D-ICの電源TSV(Through Silicon Via)のテストとして、TSV直下に電源パッドを配置して電源パッ... [more] VLD2023-129 HWS2023-89 ICD2023-118
pp.157-160
CPM 2021-10-27
10:30
ONLINE オンライン開催 Cu-TSVのためのSiNx膜の低温堆積法に関する検討
佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2021-21
3次元集積回路におけるCuを用いたシリコン貫通ビアでは、絶縁膜の200℃以下での堆積法を実現することが望まれている。そこ... [more] CPM2021-21
pp.5-7
CPM 2015-11-06
15:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性
武山真弓佐藤 勝北見工大)・青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2015-89
我々は、遷移金属窒化物を用いて、スパッタとラジカル処理を組み合わせた新たな手法の有用性と問題点を反応性スパッタによって得... [more] CPM2015-89
pp.27-30
CPM 2015-08-11
09:40
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 ラジカル反応を用いたHfNx膜の低温作製
佐藤 勝武山真弓野矢 厚北見工大CPM2015-40
Cuを用いたシリコン貫通ビアに適用可能な拡散バリヤとして、スパッタにホットワイヤによるラジカル反応を組み合わせた手法を用... [more] CPM2015-40
pp.47-50
CPM 2014-10-25
09:40
長野 信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiNx膜の特性
武山真弓佐藤 勝北見工大)・小林靖志中田義弘中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大CPM2014-115
微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。... [more] CPM2014-115
pp.53-56
CPM 2013-10-24
16:55
新潟 新潟大ときめいと 低温プロセスによるSiNx膜の特性評価
武山真弓佐藤 勝北見工大)・中田義弘小林靖志中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大CPM2013-100
微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。... [more] CPM2013-100
pp.35-39
CPM 2013-08-02
10:55
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 シリコン貫通ビアに適用可能なナノ結晶組織を有するHfNx膜のバリヤ特性
佐藤 勝武山真弓北見工大)・青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2013-51
高性能な3次元LSIを実現するためには、シリコン貫通ビア配線(TSV)が重要な要素技術となる。我々は、TSVに適用できる... [more] CPM2013-51
pp.63-68
CPM 2012-08-09
09:50
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製
武山真弓佐藤 勝北見工大)・中田義弘小林靖志中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大CPM2012-45
3次元LSIにおいては、LSIプロセス後にTSVを作製するビア・ラストプロセスが理想的である。そのためには、絶縁膜である... [more] CPM2012-45
pp.51-54
ICD 2011-04-19
14:00
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]3次元集積化技術を利用した高スループットコンピューティング向け1 Tbyte/s 1 GbitマルチコアDRAMアーキテクチャ
小埜和夫柳川善光小田部 晃関口知紀日立ICD2011-15
マルチコアCPUとの3次元積層により,高スループットコンピューティングを可能にする超高バンド幅,大容量キャッシュDRAM... [more] ICD2011-15
pp.81-86
SDM 2011-02-07
15:25
東京 機械振興会館 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス
北田秀樹前田展秀東大)・藤本興治大日本印刷)・水島賢子中田義弘中村友二富士通研)・大場隆之東大SDM2010-224
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] SDM2010-224
pp.49-53
ICD, SDM
(共催)
2010-08-26
13:00
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ
柳川善光小埜和夫小田部 晃関口知紀日立SDM2010-131 ICD2010-46
高スループットコンピューティングを可能にする超高バンド幅大容量キャッシュ用DRAMを提案した。超高バンド幅を実現するため... [more] SDM2010-131 ICD2010-46
pp.39-44
ICD, SDM
(共催)
2008-07-18
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]無線/光配線による三次元集積の課題と展望
岩田 穆横山 新広島大SDM2008-143 ICD2008-53
集積規模拡大,性能向上のために有効な三次元集積では積層チップ間インタコネクションが重要課題である.現在,ワイヤボンディン... [more] SDM2008-143 ICD2008-53
pp.89-94
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