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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2023-08-18 14:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電極/Nb:SrTiO3接合の光応答特性評価 ～ 光電子シナプスデバイス実現に向けて ～ ○佐田 晋・鄭 雨萌・木下健太郎（東京理科大）  ED2023-11 |
Sn ドープ In_2O_3(ITO)/Nb:SrTiO_3(NSTO)接合は電圧印加により、光誘起電流の緩和時定数の制... [more] | ED2023-11 pp.6-9 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研） ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 pp.1-4 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 13:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Pt/Nb:STO接合におけるメモリ特性とショットキーパラメータの関係 ○塩見俊樹・萩原祐仁・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） |
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| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-27 16:20 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ | 表面プラズモンを用いた金属中の自由電子励起による光検出 ○遠山 誠・相原卓磨・中川恭平・山口堅三・福田光男（豊橋技科大） EMD2010-58 CPM2010-74 OPE2010-83 LQE2010-56 |
表面プラズモンや近接場光を利用した光通信デバイスは，回折限界に制約されないため高密度集積が可能となり，新しい光電子集積回... [more] | EMD2010-58 CPM2010-74 OPE2010-83 LQE2010-56 pp.149-152 |
| SDM | 2009-06-19 13:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大/JST） SDM2009-32 |
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] | SDM2009-32 pp.33-38 |
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