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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
14:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析
浅井栄大張 文馨岡田直也福田浩一入沢寿史産総研SDM2019-37 ICD2019-2
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン
グを実... [more]
SDM2019-37 ICD2019-2
pp.7-10
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:00
東京 日立中研 ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上
熊崎祐介尾崎史朗美濃浦優一牧山剛三多木俊裕岡本直哉中村哲一富士通研ED2018-77 MW2018-144
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として,オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] ED2018-77 MW2018-144
pp.51-54
SDM 2018-10-17
15:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu UnivSDM2018-54
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブ... [more] SDM2018-54
pp.11-14
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