お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 11件中 1~11件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-11-10
11:20
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]キャリアの捕獲・励起過程を導入した自己無撞着モンテカルロデバイスシミュレーション
橋本風渡鈴木刀真三成英樹中﨑暢也小町 潤ソニーセミコンダクタソリューションズ)・佐野伸行筑波大SDM2023-69
本研究では、不純物の離散性とトラップによるキャリア捕獲励起過程をモンテカルロデバイスシミュレーションに正しく導入し、n型... [more] SDM2023-69
pp.31-34
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
10:25
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流特性と光応答
寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・山本哲也高知工科大ED2022-25 CPM2022-50 LQE2022-58
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流(V-I)曲線は,順方向領域と逆方向領域にヒステリシス... [more] ED2022-25 CPM2022-50 LQE2022-58
pp.5-10
CPM 2021-10-27
14:00
ONLINE オンライン開催 層状構造を有する窒化炭素膜の化学気相堆積
浦上法之高島健介橋本佳男信州大CPM2021-28
グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)は層状構造で半導体性質を示し、貴金属を用いない機能性材料の候補として有望である。本... [more] CPM2021-28
pp.31-35
SDM 2018-11-08
10:20
東京 機械振興会館 [招待講演]電子デバイスの開発と教育における計算機シミュレーションの利用
内田 建東大)・田中貴久慶大SDM2018-65
ナノスケール世代における電子デバイスの開発では,量子効果を取り込み,バンド構造などを詳細に考慮した計算機シミュレーション... [more] SDM2018-65
pp.7-10
LQE 2018-02-23
09:35
神奈川 古河電工横浜事業所 [特別招待講演]受光素子内の超高速キャリア輸送
石橋忠夫NTTエレクトロニクステクノLQE2017-151
受光素子の応答は,光注入キャリアの非平衡効果に伴う多様な振る舞いを示す。観測される特性が,移動度,飽和速度,拡散係数など... [more] LQE2017-151
pp.1-6
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
15:10
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これま... [more] ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
pp.103-106
OME, OPE
(共催)
2014-11-21
15:30
東京 機械振興会館 高配向有機半導体薄膜におけるキャリア輸送の可視化と輸送機構の評価
松原幸平安部健太郎間中孝彰岩本光正東工大OME2014-53 OPE2014-133
有機単結晶はアモルファスシリコンを超える高い移動度を示すため、バンド伝導が支配的な輸送機構であるとされている。しかし、実... [more] OME2014-53 OPE2014-133
pp.35-40
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
09:40
愛知 名古屋大学VBL3階 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響
勝野翔太林 健人安田俊輝岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大)・天野 浩名大ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31
窒化物半導体LEDにおけるキャリアオーバーフローの一因として、ヘテロ界面に誘起する分極電荷の影響が報告されている。本報告... [more] ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31
pp.75-80
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
14:55
大阪 大阪市立大学 InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響
今井大地石谷善博千葉大)・王 新強北京大物理学院)・草部一秀吉川明彦千葉大ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115
InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について,熱活性型状態遷移過程、非輻射性再結... [more] ED2012-87 CPM2012-144 LQE2012-115
pp.103-108
ED 2011-12-15
10:45
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 テラヘルツ及び赤外ー紫外分光を用いた有機導電性高分子PEDOT:PSSのキャリア輸送特性評価
山下将嗣大谷知行理研)・奥崎秀典山梨大ED2011-111
テラヘルツ波を用いた導電性高分子薄膜のキャリア輸送特性非破壊評価法の開発を目指して開発を進めている。本研究では、テラヘル... [more] ED2011-111
pp.63-67
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
 11件中 1~11件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会