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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 17:05 |
ONLINE | オンライン開催 | 多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法 ○瓜生和也（北陸先端大/アドバンテスト研）・木内翔太（北陸先端大）・佐藤 拓（アドバンテスト研）・鈴木寿一（北陸先端大）  ED2022-15 CPM2022-9 SDM2022-22 |
一般に, オーミック金属下半導体の電気的特性は, オーミックコンタクト形成前から変化している. これまでに, オーミック... [more] | ED2022-15 CPM2022-9 SDM2022-22 pp.35-38 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:00 |
東京 | 日立中研 | ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 ○熊崎祐介・尾崎史朗・美濃浦優一・牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・中村哲一（富士通研） ED2018-77 MW2018-144 |
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として，オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] | ED2018-77 MW2018-144 pp.51-54 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林 隆（NTT） ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 |
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として，Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた． 1x10-5&... [more] | ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 pp.51-56 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET ○出口忠義・脇 英司・小野 悟・山下明一・鎌田 厚・中川 敦（新日本無線）・石川博康・江川孝志（名工大） |
半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaN へテロ接合トランジスタ(LT-GaN/Al... [more] | ED2005-203 MW2005-157 pp.23-27 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT ○三好実人（名工大/日本ガイシ）・今西 敦・石川博康・江川孝志（名工大）・浅井圭一郎・柴田智彦・田中光浩・小田 修（日本ガイシ） |
100mm径エピタキシャルAlN/サファイア上へのAl0.26Ga0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を... [more] | ED2004-217 MW2004-224 pp.31-35 |
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