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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| US | 2020-11-05 13:00 |
愛知 | 愛知工業大学 八草キャンパス | 低圧スパッタ成膜で増大する負イオン照射がScAlN薄膜の結晶性と圧電性に及ぼす影響 ○冨永卓海・髙柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大）  US2020-43 |
ScAlN薄膜は，AlN 薄膜よりも非常に大きな圧電性を有すことから，弾性波デバイスへの応用が期待されている．ScAlN... [more] | US2020-43 pp.1-6 |
| US | 2020-09-28 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ScAlスパッタターゲットから生じる負イオンがScAlN圧電薄膜の結晶配向性や電気機械結合係数に及ぼす影響 ○木原流唯（早大）・高柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大） US2020-36 |
広帯域なBAWフィルタへの応用を目指して、大きな電気機械結合係数をもつScAlN圧電薄膜が注目されている。Scは酸化しや... [more] | US2020-36 pp.51-56 |
| EST | 2019-05-17 14:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | シリコン基板へのH/Heイオン照射による損失低減と比誘電率の変化 ○平野拓一（東京都市大）・水野麻弥（NICT）・李 寧（上智大）・井上 剛・曽我部正嗣（住重アテックス）・岡田健一（東工大） EST2019-5 |
高周波電磁界のCMOSシリコン(Si)基板での損失を低減するために水素(H)またはヘリウム(He)のイオンを照射する技術... [more] | EST2019-5 pp.19-23 |
| EST, MW, EMCJ (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2018-10-19 11:35 |
青森 | 八戸商工会館（青森県八戸市） | 60GHz帯シリコンCMOSオンチップダイポールアンテナのシリコン貫通ビアによる損失低減の一検討 ○平野拓一（東京都市大） EMCJ2018-51 MW2018-87 EST2018-73 |
ミリ波帯においては、アンテナが小型になるため、近年開発が進んでいるCMOSチップに一体化して作成するオンチップアンテナが... [more] | EMCJ2018-51 MW2018-87 EST2018-73 pp.105-109 |
| CPM | 2016-10-05 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | Si基板上へのMnGa(001)配向膜の作製とイオン照射による磁気パターニング ○石川 徹・根来 翼・福田憲吾・大島大輝・加藤剛志・岩田 聡（名大） CPM2016-57 |
熱酸化膜付きSi基板上に(001)配向したL10-MnGa膜の成膜を試み，その構造と磁気特性をMgO(001)単結晶基板... [more] | CPM2016-57 pp.13-17 |
| EMCJ, MW, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2015-10-23 15:00 |
宮城 | 東北大学 片平キャンパス さくらホール | ヘリウム3イオン照射による低損失60GHz帯CMOSオンチップダイポールアンテナの設計 ○平野拓一・李 寧・岡田健一・松澤 昭・広川二郎・安藤 真（東工大）・井上 剛・坂根 仁（住重試験検査） EMCJ2015-79 MW2015-118 EST2015-89 |
60GHz帯ミリ波CMOSオンチップアンテナはシリコン(Si)基板による損失が大きいという欠点がある。Si基板にヘリウム... [more] | EMCJ2015-79 MW2015-118 EST2015-89 pp.123-127 |
| US | 2015-09-03 15:20 |
北海道 | 第一滝本館 （北海道登別） |
低圧RFマグネトロンスパッタ法によるc軸平行配向ZnO膜の形成とSAW、Lamb波デバイスへの応用 ○高柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（早大）・Jean-Claude Gerbedoen・Abdelkrim Talbi（IEMN）・松川真美（同志社大）・Philippe Pernod（IEMN） US2015-50 |
ZnO薄膜はSAWフィルタなど様々な圧電デバイスに応用されてきたが，その多くは(0001)面に優先配向を持つ．一方，(1... [more] | US2015-50 pp.25-30 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 09:00 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） | Heイオン照射によるシリコン基板高抵抗化の電磁界シミュレーションの基礎検討 ○矢尾裕樹・平野拓一・李 寧・岡田健一・松澤 昭・広川二郎・安藤 真（東工大）・井上 剛・正岡章賀・坂根 仁（住重試験検査） PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81 |
Heイオン照射によりシリコン(Si)基板を高抵抗化して損失を低減する技術が提案されている. Si結晶に照射したイオンによ... [more] | PN2013-61 OPE2013-175 LQE2013-161 EST2013-110 MWP2013-81 pp.181-185 |
| RCS, AP (併催) |
2013-11-20 15:50 |
島根 | 松江テルサ | オンチップアンテナのイオン照射を想定した基板の高抵抗化よる放射効率改善の電磁界シミュレーション ○矢尾裕樹・平野拓一・岡田健一・広川二郎・安藤 真（東工大） AP2013-104 |
CMOSオンチップアンテナの放射効率改善のために, チップの一部にイオン照射を想定した低損失シリコン（Si）基板を用いた... [more] | AP2013-104 pp.25-30 |
| SDM | 2012-12-07 11:00 |
京都 | 京都大学(桂) | イオン液体BMIM-PF6イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質 ○竹内光明・濱口拓也・龍頭啓充・高岡義寛（京大） SDM2012-119 |
イオン液体は常温で液体のイオン性化合物であり，1~数百 mS/cm 程度の高い導電性を有し，蒸気圧は極めて低いため，近年... [more] | SDM2012-119 pp.25-30 |
| SDM | 2012-12-07 11:15 |
京都 | 京都大学(桂) | 直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性 ○今中浩輔・竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛（京大） SDM2012-120 |
$n$-テトラデカンから生成した多原子分子イオンC$_{3}$H$_{7}^{+}$，C$_{6}$H$_{13}^{+... [more] | SDM2012-120 pp.31-35 |
| CPM | 2012-09-25 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 規則合金膜へのイオン照射による磁気特性制御とビットパターン構造の作製 ○大島大輝・谷本昌大・加藤剛志・岩田 聡（名大）・綱島 滋（名古屋産業科学研） CPM2012-86 |
我々はこれまでに，L12-CrPt3規則合金膜に30 keVのKr+イオン照射を行うことでその磁気特性が容易に制御できる... [more] | CPM2012-86 pp.5-9 |
| US | 2012-09-24 14:45 |
秋田 | 秋田大学 手形キャンパス | RFマグネトロンスパッタ法における基板へのイオン照射を用いた極性反転ZnO薄膜の作製 ○生駒 遼（同志社大）・柳谷隆彦（名工大）・高柳真司（同志社大）・鈴木雅視（名工大）・小田川裕之（熊本高専）・松川真美（同志社大） US2012-61 |
ZnO結晶のc軸方向には極性があり，通常，スパッタ法などで作製したc軸配向ZnO薄膜は成長終端がZn極性面となるように成... [more] | US2012-61 pp.21-25 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2011-06-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | イオンアシスト蒸着によるフッ素薄膜の密着性改善 ○泉田和夫・松田 剛・田中邦明・臼井博明（東京農工大） EMD2011-15 CPM2011-51 OME2011-29 |
ドライプロセスによる新たなフッ素系高分子膜形成技術として，イオンアシスト蒸着重合法を開発した．イオン照射によって基材表面... [more] | EMD2011-15 CPM2011-51 OME2011-29 pp.41-46 |
| SDM | 2010-12-17 15:10 |
京都 | 京都大学(桂) | 多原子分子イオンビームによるシリコン表面照射効果 ○竹内光明・龍頭啓充・高岡義寛（京大） SDM2010-197 |
n-オクタンから生成したC$_{3}$H$_{7}^{+}$およびC$_{6}$H$_{13}^{+}$ 多原子分子イオ... [more] | SDM2010-197 pp.69-72 |
| ED | 2010-10-25 13:00 |
京都 | 宇治おうばくプラザ(京都大学） | 薄膜立体化技術を用いたFEA作製 ○吉田知也・長尾昌善・西 孝・大崎 壽・清水貴思・金丸正剛（産総研） ED2010-128 |
イオン照射誘起薄膜変形（Ion Induced Bending: IIB）技術を利用した電界電子放出型電子源（Field... [more] | ED2010-128 pp.1-6 |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-10-14 15:45 |
秋田 | 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 | CrPt3規則合金膜へのイオン照射による微細ビットパターン構造の作製 ○加藤剛志・大島大輝（名大）・Edi Suharyadi（名大/学振）・岩田 聡（名大） MR2010-26 |
CrPt3規則合金膜へ30 keVのKr+イオンを照射することで，CrPt3膜はL12型の規則相からA1型不規則相へ相変... [more] | MR2010-26 pp.25-29 |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2010-03-12 14:30 |
愛知 | 名古屋大学 | Kr+イオン照射によるMnBi薄膜の構造変化と磁気特性制御 ○徐 倩茜・加藤剛志・岩田 聡・綱島 滋（名大） MR2009-62 |
マグネトロンスパッタ成膜と350˚Cの熱処理により作成したMnBi (15 nm)膜に30 keVのKr+イオ... [more] | MR2009-62 pp.21-26 |
| ED | 2009-10-15 13:30 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部（旧地域共同研究センター） ３階 研修室 | イオン照射誘起薄膜変形（IIB）現象を利用したフィールドエミッタアレイ作製プロセスの開発 ○吉田知也・長尾昌善・清水貴思・金丸正剛（産総研） ED2009-116 |
イオン照射誘起薄膜変形（IIB）技術を利用したフィールドエミッタアレイ（FEA）作製プロセスを開発した．IIBとは，薄膜... [more] | ED2009-116 pp.1-6 |
| OME | 2009-07-23 13:25 |
長野 | (財)加藤科学振興会軽井沢研修所 | イオン照射アシストによる蒸着重合膜の作製 ○臼井博明・外輪俊介・田中邦明（東京農工大）・泉田和夫（東京農工大/住友精密工業） OME2009-29 |
低分子モノマーの物理蒸着とイオン照射を組み合わせ，新規な高分子製膜技術を開発した．高真空槽内でモノマー材料として亜鉛アク... [more] | OME2009-29 pp.5-8 |
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