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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
SDM 2016-11-11
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究
望月和浩産総研SDM2016-85
ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する,市販プロセス・デバイ... [more] SDM2016-85
pp.37-42
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
13:00
東京 機械振興会館 Arイオン注入を用いた1550 nm帯多重積層QD構造の組成混晶化と光集積素子への応用
松本 敦NICT)・武井勇樹早大)・赤羽浩一山本直克川西哲也NICT)・石川 浩松島裕一宇高勝之早大OPE2015-12 LQE2015-22
多重積層半導体量子ドット(QD)構造を用いたモノリシック光集積デバイス実現に向け、ICP-RIEのArプラズマ照射による... [more] OPE2015-12 LQE2015-22
pp.9-13
SDM 2015-06-19
14:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明
岡 博史箕浦佑也淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大SDM2015-48
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] SDM2015-48
pp.51-55
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
13:50
愛知 豊橋技科大VBL棟 SiC基板表面における浸漬法による自己組織化膜形成
鈴木悠矢広瀬雄治玉置祥平宮川鈴衣奈木下隆利江龍 修名工大ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20
高品質なGaNの結晶成長を実現するため、ペプチド素子の自己組織化を用いたSiC微細加工法を提案する。ペプチド素子のもつ電... [more] ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20
pp.11-15
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
11:00
京都 京都大学 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果
竹内光明林 恭平龍頭啓充高岡義寛京大)・永山 勉松田耕自日新イオン機器EID2014-17 SDM2014-112
炭化水素多原子分子イオンC$_{n}$H$_{n}^{+}$($n$=3, 7, 14)及びC$_{n}$H$_{2n+... [more] EID2014-17 SDM2014-112
pp.21-24
SDM 2014-11-06
10:55
東京 機械振興会館 モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算
岡本 稔清水 守大倉康幸山口 憲小池秀耀アドバンスソフトSDM2014-98
 [more] SDM2014-98
pp.13-18
SDM 2014-06-19
11:25
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成
浜田慎也村上秀樹小野貴寛橋本邦明広島大)・大田晃生名大)・花房宏明東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大SDM2014-48
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] SDM2014-48
pp.27-30
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
14:20
愛知 名古屋大学VBL3階 n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用
竹内和歌奈田岡紀之坂下満男中塚 理財満鎭明名大ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39
Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Tra... [more] ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39
pp.113-118
SDM 2014-01-29
10:50
東京 機械振興会館 [招待講演]高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術
水林 亘産総研)・おの田 博中島良樹日新イオン機器)・石川由紀松川 貴遠藤和彦Yongxun Liu大内真一塚田順一山内洋美右田真司森田行則太田裕之昌原明植産総研SDM2013-138
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] SDM2013-138
pp.13-16
ED, MW
(共催)
2014-01-16
11:45
東京 機械振興会館 Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET
東脇正高NICT)・佐々木公平タムラ製作所/NICT)・ワン マンホイ上村崇史ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ製作所)・増井建和光波)・山腰茂伸タムラED2013-116 MW2013-181
我々は,新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した.今回作製したデバイ... [more] ED2013-116 MW2013-181
pp.35-39
LQE, OCS, OPE
(共催)
2013-10-24
10:00
福岡 門司港・海峡ロマンホール イオン注入法を用いたサブバンド間遷移超高速全光ゲートスイッチの高性能化
秋本良一フェン ジジュン牛頭信一郎物集照夫石川 浩産総研OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64
イオン注入による量子井戸混合法を用いて,異なるバンドギャップもつInGaAs/AlAsSb量子井戸光導波路を接続したマイ... [more] OCS2013-48 OPE2013-94 LQE2013-64
pp.5-8
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-16
16:35
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数
鈴木悠平三輪一聡静岡大)・ファイズ サレ静岡大/学振)・下村 勝石田明広池田浩也静岡大ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29
Siナノワイヤを用いたサーモパイル型赤外線センサを作製するために,収束イオンビーム(FIB)によってn型SOI層へのGa... [more] ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29
pp.33-37
SDM 2012-12-07
14:00
京都 京都大学(桂) ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析
村井剛太奥谷真士田川修治吉本昌広京都工繊大)・Woo Sik YooWaferMastersSDM2012-127
ナノスケールでウエットエッチングした試料のホトルミネセンス(PL)を低温と室温で観測することによって,極浅接合の欠陥の深... [more] SDM2012-127
pp.71-76
EST, EMCJ
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2012-10-26
11:20
宮城 東北学院大学 多賀城キャンパス 深いボロンイオン注入による自己バイアスチャネルダイオードの耐圧改善
工藤嗣友神奈川工科大)・菅原文彦大沼孝一東北学院大EMCJ2012-79 EST2012-63
3端子動作のチャネルダイオードに自己バイアス効果を導入したDMOS型自己バイアスチャネルダイオードが提案されている.この... [more] EMCJ2012-79 EST2012-63
pp.93-97
OME, SDM
(共催)
2011-04-15
11:05
佐賀 産総研九州センター Role of vacancy annihilation in electrical activation of P implanted in Ge
Mohammad AnisuzzamanTaizoh SadohKyushu Univ.SDM2011-4 OME2011-4
Due to the scaling limit faced by Si CMOS technology, much i... [more] SDM2011-4 OME2011-4
pp.13-16
SDM 2010-12-17
15:45
京都 京都大学(桂) ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価
奥谷真士高島周平吉本昌広京都工繊大)・Woo Sik YooWaferMastersSDM2010-198
ホトルミネセンス(PL)法を活用して,極浅接合の再結晶化に関する新しい知見を得た.イオン注入層の再結晶化に伴う10 oh... [more] SDM2010-198
pp.73-78
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
15:25
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法
福留秀暢富士通マイクロエレクトロニクス)・堀 陽子富士通クオリティ・ラボ)・保坂公彦籾山陽一佐藤成生杉井寿博富士通マイクロエレクトロニクスSDM2009-106 ICD2009-22
我々はゲート幅方向へ傾斜させた平行エクステンション注入によりnMOSFETのVthばらつきが15%低減することを初めて実... [more] SDM2009-106 ICD2009-22
pp.49-52
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
16:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Design of 30nm FinFET with Halo Structure
Tetsuo EndohKoji SakuiYukio YasudaTohoku Univ../JST-CRESTED2009-64 SDM2009-59
Design of 30nm FinFETs with halo structure for suppressing t... [more] ED2009-64 SDM2009-59
pp.63-66
SDM 2008-12-05
15:50
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス
長田光生・○芝原健太郎広島大SDM2008-194
Siの微細MOSFET製作に欠かすことができない工程の一つである、極浅接合形成ではプレアモルファス化イオン注入がしばしば... [more] SDM2008-194
pp.55-58
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