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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2023-11-01 13:55 |
兵庫 | じばさんびる 502会議室（姫路） | 屋内用太陽電池に対する照明光のパルス幅変調の影響 ○多田和也（兵庫県立大）  OME2023-44 |
太陽電池を屋内発電用途に使用する際には，屋内照明光の性質に配慮する必要がある。特に近年では，LEDを用いた固体照明が第一... [more] | OME2023-44 pp.7-11 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 15:35 |
ONLINE | オンライン開催 | Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ ○赤根詩穂里（龍谷大）・堀内 功（KOA）・木村 睦（龍谷大） EID2020-13 SDM2020-47 |
我々は「Cu2GeTe3:銅・ゲルマニウム・テルル(CGT)」を用いた相変化メモリ（PCRAM）についての研究を行なって... [more] | EID2020-13 SDM2020-47 pp.50-53 |
| US | 2020-05-18 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 金属ガラス導波路の高周波超音波伝搬特性 ○篠田航平・チェン カン（東大）・入江喬介（マイクロソニック）・飯島高志（産総研）・森田 剛（東大） US2020-8 |
細径導波路を用いた超音波顕微鏡の開発において、これまで導波路の材質として使用されてきた石英ガラスには金属に比べ脆性破壊し... [more] | US2020-8 pp.1-5 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 10:15 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価 ○加藤公彦（東大/産総研）・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2019-46 ICD2019-11 |
酸化物半導体／IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け，膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] | SDM2019-46 ICD2019-11 pp.63-66 |
| SDM | 2018-10-17 16:35 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ［招待講演］低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ ○畑山祥吾・須藤祐司・安藤大輔・小池淳一（東北大） SDM2018-56 |
相変化メモリは次世代型の不揮発性メモリとして注目されている. 現在, 実用化されている相変化材料はGe-Sb-Te化合物... [more] | SDM2018-56 pp.21-26 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:15 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-16 SDM2017-77 |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] | EID2017-16 SDM2017-77 pp.23-28 |
| CPM | 2017-07-21 17:00 |
北海道 | 北見工業大学第一総合研究棟２F多目的講義室 | ［招待講演］電子材料研究に関わる私的40年史 ○山本 寛（日大） CPM2017-31 |
約40年にわたる私的研究の軌跡を報告する．磁性分野ではアモルファス磁性合金膜あるいは電気磁気効果膜，超伝導分野では金属間... [more] | CPM2017-31 pp.51-56 |
| SDM | 2016-11-11 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | a-Si pin太陽電池の自己無撞着シミュレーションとキャリアの捕獲生成過程の物理機構 ○鈴木 東（筑波大）・吉田勝尚（東大）・佐野伸行（筑波大） SDM2016-89 |
ドリフト拡散式にポアソン方程式をカップルさせ、自己無撞着に解く、アモルファス・シリコン(a-Si) p-i-n 太陽電池... [more] | SDM2016-89 pp.59-64 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2016-10-20 16:10 |
福岡 | 九州大学西新プラザ | 金属/NiO複合ナノ構造における抵抗値変化現象の低電圧制御 ○中野陽介・岡部京太・木村 崇（九大） |
デジタル情報化社会の急速な普及による情報量の爆発的増大により、革新的原理を有する不揮発メモリの登場が期待されている。今回... [more] | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-10-22 13:30 |
大阪 | 大阪大学吹田キャンパス | マイクロマグネティックスの手法によるアモルファスワイヤの動的磁化過程の解析 ○上原裕二・古屋篤史・清水香壱・藤崎 淳・安宅 正・田中智大（富士通）・大島弘敬（富士通研）・中山幸仁（東北大）・薮上 信（東北学院大） MR2015-15 |
磁気センサ等に適用されているアモルファスワイヤの動的磁化過程について，Landau-Lifshitz-Gilbert (... [more] | MR2015-15 pp.1-5 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-29 16:25 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | ［招待講演］クラスタ除去によるa-Si太陽電池の光劣化抑制 ○白谷正治・都甲 将・鳥越祥宏・毛屋公孝・古閑一憲（九大） SDM2015-7 OME2015-7 |
本研究では,水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)薄膜太陽電池の最重要課題である光劣... [more] | SDM2015-7 OME2015-7 pp.25-30 |
| ED | 2014-10-21 16:20 |
北海道 | 北大エンレイソウ | a-Seのキャリア増倍を利用した光検出器の高感度化 ○増澤智昭（静岡大）・大西正徳・胡谷大志・大畑慧訓・月村玲菜・落合 潤・齋藤市太郎（国際基督教大）・山田貴壽（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・岡野 健（国際基督教大） ED2014-67 |
アモルファスセレン(a-Se)を用いた光検出器は，高い位置分解能と応答速度を兼ね備え，さらにキャリア増倍による高感度化が... [more] | ED2014-67 pp.25-28 |
| SDM | 2014-06-19 11:25 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 ○浜田慎也・村上秀樹・小野貴寛・橋本邦明（広島大）・大田晃生（名大）・花房宏明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2014-48 |
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] | SDM2014-48 pp.27-30 |
| EMD | 2013-12-20 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | 磁気シールド用アモルファス金属箔へのアルミニウム薄板（または箔）の電磁圧接 ○相沢友勝・松澤和夫・岡川啓悟（都立産技高専） EMD2013-131 |
アモルファス金属箔をアルミニウム薄板上に間隙を設けて重ね，これらを絶縁された平板状ワンターンコイル上に固定する．コンデン... [more] | EMD2013-131 pp.1-6 |
| OPE | 2013-12-20 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元光インターコネクトに向けた金属ミラー付き層間グレーティングカプラ ○カン ジュンヒョン・渥美裕樹・林 侑介・鈴木純一・久能雄輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） OPE2013-142 |
シリコンフォトニクスによる光インターコネクトは多層構造を導入することで更なる高伝送密度化が可能である。本研究では多層間の... [more] | OPE2013-142 pp.25-30 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-03-08 14:45 |
愛知 | 名古屋大学 | 磁気光学3次元ディスプレイによる計算機ホログラム像の再生 ○中村和樹・江藤 優・高木宏幸・林 攀梅・井上光輝（豊橋技科大） MR2012-48 |
電子ホログラフィは裸眼でリアルな3次元像を表示できる技術である．電子ホログラフィの再生像の視野角φは，φ= 2sin-1... [more] | MR2012-48 pp.23-26 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2013-01-24 13:00 |
愛知 | ウィンクあいち | ［招待講演］角度依存性のない構造発色材料 ○竹岡敬和（名大） OME2012-84 |
屈折率の異なる二種類以上の物質が可視光の波長ほどの微細構造を形成し、光と物質との波長に依存した相互作用（屈折、回折、散乱... [more] | OME2012-84 pp.1-5 |
| ICD | 2012-12-17 15:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［ポスター講演］相変化メモリの環境温度依存性評価 ○江上 徹・上口 光・竹内 健（中大） ICD2012-107 |
相変化メモリは高速で書込みが可能で多値化や微細化に向いている次世代不揮発性メモリの一つである．材料にはカルコゲナイドを使... [more] | ICD2012-107 p.65 |
| OME | 2012-12-05 16:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 陰極バッファー材料としてMoO3を用いる有機薄膜太陽電池の作製と評価 宮城英介・○景山 弘（琉球大）・大森 裕（阪大）・城田靖彦（福井工大） OME2012-82 |
高い正孔移動度を有するアモルファス分子材料、tris[4-(5-phenylthiophen-2-yl)phenyl]a... [more] | OME2012-82 pp.33-35 |
| ED | 2012-11-19 15:30 |
大阪 | 阪大中之島センター | アモルファスセレンとダイヤモンド冷陰極を用いた光検出器の評価 ○増澤智昭・国吉真吾・大西正徳・斎藤市太郎（国際基督教大）・Angel T. T. Koh・Daniel H. C. Chua（NUS）・山田貴壽（産総研）・下澤達雄（東大）・岡野 健（国際基督教大） ED2012-57 |
アモルファスセレン(a-Se)を用いた光検出器は，高い位置分解能と応答速度を兼ね備え，さらにキャリア増倍による高感度化が... [more] | ED2012-57 pp.15-17 |
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