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 67件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2024-01-16
15:30
ONLINE オンライン開催 n型ドーピングした電子輸送層を用いた逆構造有機ELデバイスの特性評価
宮崎 駆森本勝大中 茂樹富山大OME2023-81
有機半導体はキャリア密度が極めて小さく、導電率は絶縁体に分類される。解決法の一つとして近年、イミダゾール誘導体を熱活性化... [more] OME2023-81
pp.18-21
SDM 2023-10-13
16:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 強度分布を有するエキシマレーザーアニールによる結晶粒径制御と低温ポリシリコン薄膜トランジスタ特性
西田 脩片山慶太中村大輔九大)・後藤哲也東北大)・池上 浩高知工科大SDM2023-58
エキシマレーザーアニール(ELA)法で結晶化した低温ポリシリコン(LTPS)薄膜トランジスタ(TFT)は、アモルファスシ... [more] SDM2023-58
pp.27-33
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
16:10
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温特性改善
下方駿佑慶大/産総研)・岡 博史稲葉 工飯塚将太加藤公彦森 貴洋産総研SDM2023-41 ICD2023-20
大規模量子コンピュータの実現に向けて,量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている.近年の研... [more] SDM2023-41 ICD2023-20
pp.28-31
SDM, OME
(共催)
2021-04-23
14:20
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
絶縁基板上Si薄膜の結晶化における課題
野口 隆岡田竜弥琉球大SDM2021-3 OME2021-3
概要

現在、ポリSi TFTは、LTPS(低温ポリSi)TFTともよばれ、その優れた素子特性により、携帯電話、スマ... [more]
SDM2021-3 OME2021-3
pp.13-14
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:00
ONLINE オンライン開催 GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化
田先美貴子清原一樹小田原麻人伊藤太一竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名大ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69
GaNトンネル接合を有する電流狭窄構造は、LEDやレーザダイオードに利用されている。上部n-GaN層がトンネル接合とp型... [more] ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69
pp.67-70
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
14:30
ONLINE オンライン開催 スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上
形岡遼志小泉晴比古岩山 章三宅秀人三重大ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は,二次元層状物質で,歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている.従来,h-BNは有機金... [more] ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73
pp.83-86
SDM, OME
(共催)
2020-04-13
14:50
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
絶縁基板上Si薄膜の結晶化における課題
野口 隆岡田竜弥琉球大
これ ま で 、 共同研究 を 通 し て LTPS 技術 の 課題 を 解決 す べ く 、 青色 半導体 レーザ ア... [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-23
15:15
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [依頼講演]原子状水素を用いた表面処理技術の半導体分野への応用
部家 彰兵庫県立大
水素ガスを加熱金属線で分解し生成した原子状水素を用いた表面処理技術(原子状水素アニール(AHA))の半導体分野への応用に... [more]
CPM 2019-11-07
15:00
福井 福井大学 文京キャンパス 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内公哉中村和樹郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2019-46
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] CPM2019-46
pp.9-14
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:25
東京 日立中研 ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果
南條拓真小山英寿今井章文綿引達郎山向幹雄三菱電機ED2018-78 MW2018-145
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] ED2018-78 MW2018-145
pp.55-58
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
13:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(Ⅱ)
秋田佳輝松尾直人兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大EID2018-5 SDM2018-78
本研究では,Ge膜のFLA結晶化時にSiOxキャップ膜が及ぼす影響を調査した.FLA結晶化におけるpoly-Ge膜の結晶... [more] EID2018-5 SDM2018-78
pp.17-20
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
11:15
愛知 名古屋工業大学 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価
梅村将成市村正也名工大ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100
pp.65-70
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
14:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
中澤日出樹中村和樹長内公哉郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大CPM2018-52
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] CPM2018-52
pp.99-104
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
14:45
愛知 名古屋工業大学 スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長
吉澤 涼林 侑介三宅秀人平松和政三重大ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
pp.83-86
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
10:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール
鈴木周平林 家弘三宅秀人平松和政三重大)・福山博之東北大ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
pp.5-9
ED 2015-07-24
15:35
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性
矢野裕司奈良先端大/筑波大)・結城広登冬木 隆奈良先端大ED2015-41
基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善... [more] ED2015-41
pp.25-29
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-06-05
11:25
宮城 東北大学 CoPt基グラニュラ媒体の磁気特性及び微細組織へのポストアニールの効果
タム キムコングTKK)・日向慎太郎齋藤 伸東北大MR2015-10
Co80Pt20−30 vol.% (Al2O3, TiO2, WO3) およびCo82.4Pt17.6&#... [more] MR2015-10
pp.61-65
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
10:40
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長
松村 亮九大/学振)・知北大典甲斐友樹佐々木雅也佐道泰造池上 浩宮尾正信九大SDM2015-10 OME2015-10
次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200... [more] SDM2015-10 OME2015-10
pp.39-40
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
11:00
京都 京都大学 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果
竹内光明林 恭平龍頭啓充高岡義寛京大)・永山 勉松田耕自日新イオン機器EID2014-17 SDM2014-112
炭化水素多原子分子イオンC$_{n}$H$_{n}^{+}$($n$=3, 7, 14)及びC$_{n}$H$_{2n+... [more] EID2014-17 SDM2014-112
pp.21-24
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
14:15
京都 京都大学 レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成
高尾 透堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2014-26 SDM2014-121
フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術... [more] EID2014-26 SDM2014-121
pp.67-71
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