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SDM 2019-01-29
13:20
東京 機械振興会館 [招待講演]サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発
山口 直張 田田大森和幸島田康弘国宗依信井手 隆井上真雄松浦正純ルネサス エレクトロニクスSDM2018-86
Hf0.5Zr0.5O2(HZO)膜を不揮発性メモリ材料とした強誘電体メモリの開発成果を報告する. 本研究では, 10n... [more] SDM2018-86
pp.21-26
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