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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
11:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製
小尻尚志諏訪智之橋本圭市寺本章伸黒田理人須川成利東北大EID2015-9 SDM2015-92
新規に開発したSiNxエッチングガス(SSY525:日本ゼオン製プロトタイプ)のエッチング基礎特性評価を行った.その結果... [more] EID2015-9 SDM2015-92
pp.1-4
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