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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-06-19
14:35
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋柴山茂久坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] SDM2015-49
pp.57-61
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