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SDM 2012-06-21
10:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2012-48
高駆動力 Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(Dit)かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] SDM2012-48
pp.27-32
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