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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2008-06-10
11:20
東京 東京大学(生産研 An棟) TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ~ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ~
大田晃生森 大樹吉永博路宮崎誠一広島大)・門島 勝奈良安雄半導体先端テクノロジーズSDM2008-52
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] SDM2008-52
pp.59-64
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