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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2007-03-15
13:30
東京 機械振興会館 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討
佐藤嘉洋木下健太郎能代英之青木正樹杉山芳弘富士通研
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を... [more] SDM2006-255
pp.7-10
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