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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2018-03-08
13:50
静岡 東レ総合研修センター [招待講演]Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望
原 直紀高橋 剛川野陽一中舍安宏富士通/富士通研EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト... [more] EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67
pp.9-10
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