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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)		 2013-08-02
09:50		 石川 金沢大学 角間キャンパス 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM
○新居浩二・薮内　誠・藤原英弘・塚本康正・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・松村哲哉（日大）・松田吉雄（金沢大） SDM2013-76 ICD2013-58		  [more] SDM2013-76 ICD2013-58
pp.53-57
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