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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:50
石川 金沢大学 角間キャンパス 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM
新居浩二薮内 誠藤原英弘塚本康正石井雄一郎ルネサス エレクトロニクス)・松村哲哉日大)・松田吉雄金沢大
 [more] SDM2013-76 ICD2013-58
pp.53-57
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