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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2016-07-23
15:30
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作
土屋充沙塚本貴広須田良幸東京農工大ED2016-30
我々は最近,不揮発性メモリ特性と整流特性の双方を有する理論的に最密のクロスポイント型配列に適した2端子抵抗変化型のp-C... [more] ED2016-30
pp.17-20
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