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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
14:40
京都 京都大学 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
中澤一志上野弘明松尾尚慶柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅松下電器
窒化ガリウム(GaN)は、高い絶縁破壊電界と高移動度を有し、次世代ハイパワーデバイス用途に有望な材料である。パワースイッ... [more] ED2006-156 CPM2006-93 LQE2006-60
pp.23-27
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