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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2022-01-27
13:40
ONLINE オンライン開催 3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響
桑田英悟山口裕太郎津留正臣三菱電機)・Johannes BenediktCardiff UniversityED2021-63 MW2021-105
本報告では、新しいアクティブロードプル測定であるIMD3周波数でのロードプル測定系および測定結果について述べる。基本波や... [more] ED2021-63 MW2021-105
pp.7-11
COMP 2020-12-04
10:00
ONLINE オンライン開催 コスト制約つき組合せ問題に対するZDDを用いた高速な解列挙手法
湊 真一京大)・番原睦則名大)・堀山貴史北大)・川原 純京大)・瀧川一学北大)・山口勇太郎九大COMP2020-19
 [more] COMP2020-19
pp.8-15
ED, MW
(共催)
2020-01-31
15:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータに対するバッファトラップと自己発熱の影響に関する解析
大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2019-103 MW2019-137
 [more] ED2019-103 MW2019-137
p.53
MW 2019-11-14
15:10
沖縄 南大東村多目的交流センター 広帯域段間整合回路を用いた比帯域15.6%出力15W級Ka帯GaN MMIC増幅器
中谷圭吾山口裕太郎半谷政毅新庄真太郎三菱電機MW2019-105
本報告では,0.15um GaN-HEMTを用いた比帯域15.6%出力15.5WのKa帯GaN MMIC増幅器の試作結果... [more] MW2019-105
pp.29-34
COMP 2018-12-12
13:30
宮城 東北大学 [招待講演]0/1/all CSPs, Half-Integral A-path Packing, and Linear-Time FPT Algorithms
Yoichi IwataNII)・Yutaro YamaguchiOsaka Univ.)・Yuichi YoshidaNIICOMP2018-35
0/1/all CSPは,unit propagationと呼ばれる単純なDFSによって線形時間で解くことが出来る.
... [more]
COMP2018-35
p.23
MW 2018-11-15
10:50
長崎 福江文化会館 5G向けKa帯GaN高効率ドハティ増幅器MMIC
中谷圭吾山口裕太郎小松崎優治新庄真太郎三菱電機MW2018-94
 [more] MW2018-94
pp.13-18
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) [詳細]
2018-07-19
15:25
北海道 洞爺観光ホテル Sパラメータ過渡応答測定を用いてトラップの非線形容量への影響を考慮したKa帯GaN大信号モデル
山口裕太郎大塚友絢半谷政毅新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29
 [more] EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29
pp.125-130
COMP 2018-03-05
11:00
大阪 大阪府立大学 [招待講演]クエリ可能な確率的重み付き詰め込み問題
前原貴憲理研)・○山口勇太郎阪大/理研COMP2017-47
「重み付き詰め込み問題」とは,与えられた容量制約を満たすように要素を取捨選択し,取ると決めた要素の重みの総和を最大化する... [more] COMP2017-47
p.17
MW, EMCJ, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2017-10-20
16:40
秋田 あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 マイクロ波小型加熱炉を用いた半導体発振器方式による一様加熱制御の検証実験
弥政和宏河村由文幸丸竜太山口裕太郎中谷圭吾塩出剛士山中宏治森 一富福本 宏三菱電機EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73
半導体発振器は,マグネトロンに代表される電子管に比べ,空間内における位相制御による電力合成が可能である.本稿では,位相制... [more] EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73
pp.171-175
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:00
東京 機械振興会館地下2階1号室 Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル
山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2016-107 MW2016-183
 [more] ED2016-107 MW2016-183
pp.57-62
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ~ TCADシミュレーションによる検討 ~
大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機ED2016-108 MW2016-184
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が,GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流,ゲートリーク電流... [more] ED2016-108 MW2016-184
pp.63-68
MW 2016-11-17
14:30
佐賀 佐賀大学 基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル
山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大MW2016-122
基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデルを提案する.提案モデルではバッファ... [more] MW2016-122
pp.33-38
MW 2016-11-17
14:55
佐賀 佐賀大学 GaN増幅器モジュールを用いた産業用マイクロ波加熱装置
弥政和宏山中宏治塩出剛士水谷浩之津留正臣河村由文吉岡貴章小松崎優治山口裕太郎中谷圭吾幸丸竜太森 一富福本 宏三菱電機MW2016-123
NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)からの委託事業「クリーンデバイス社会実装推進事業/省エネルギー社会を実現す... [more] MW2016-123
pp.39-42
MW, WPT
(共催)
2016-04-21
11:30
東京 機械振興会館 低抵抗・高耐圧GaAs SBDを用いた5.8GHz帯高効率整流器の試作結果
中村茉里香山口裕太郎津留正臣相原育貴下川床 潤本間幸洋谷口英司三菱電機WPT2016-3 MW2016-3
宇宙太陽光発電システム等のマイクロ波電力伝送システムの受電部に用いられる整流器には, 高入力電力時におけるRF-DC変換... [more] WPT2016-3 MW2016-3
pp.11-15
MW 2015-05-28
13:50
東京 電気通信大 マイクロ波加熱用GaN-on-Siトランジスタの大信号モデル
クリスター アンダーソン山口裕太郎弥政和宏河村由文坂田修一山中宏治福本 宏三菱電機MW2015-21
マイクロ波加熱に使用するGaNonSiトランジスタの大信号モデルについて報告する。マイクロ波加熱ではCW動作を行うため、... [more] MW2015-21
pp.1-5
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
16:40
愛知 豊橋技科大VBL棟 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析
山口修造・○大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25
GaNショットキーバリアダイオード(SBD)を高電力で使用する場合,逆方向だけでなく、順方向にも大きな電圧が印加される。... [more] ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25
pp.35-39
WPT, MW
(共催)
2015-04-16
15:50
東京 機械振興会館 高耐圧GaAs SBDを用いた5.8GHz帯高効率整流器の試作結果
中村茉里香山口裕太郎津留正臣相原育貴山本敦士本間幸洋谷口英司三菱電機WPT2015-5 MW2015-5
宇宙太陽光発電システム等のマイクロ波電力伝送システムの受電部に用いられる整流器には, 高入力電力時におけるRF-DC変換... [more] WPT2015-5 MW2015-5
pp.21-25
MW, ED
(共催)
2015-01-16
11:30
東京 機械振興会館 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング
山口裕太郎南條拓真小山英寿加茂宣卓山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2014-129 MW2014-193
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] ED2014-129 MW2014-193
pp.71-76
WPT 2014-06-06
13:55
東京 東京大学 高耐圧GaAsショットキーバリアダイオードを用いた5.8GHz帯高効率整流器の検討
田中俊行山口裕太郎津留正臣相原育貴山本敦士本間幸洋谷口英司三菱電機WPT2014-25
宇宙太陽光発電システムなどのマイクロ波電力伝送システムの受電部に用いられる整流器には,高入力電力時に高いRF-DC変換効... [more] WPT2014-25
pp.5-10
MW, ED
(共催)
2013-01-18
11:15
東京 機械振興会館 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討
山口裕太郎大石敏之大塚浩志吉岡貴章小山英寿鮫島文典津山祥紀山中宏治三菱電機ED2012-121 MW2012-151
SSPS(Space Solar Power Stations/System)向けGaN HEMT高効率増幅器について報... [more] ED2012-121 MW2012-151
pp.49-52
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