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 31件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2024-01-25
14:50
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
低周波Yパラメータ(Y11、Y22)を利用したGaN HEMTのトラップ評価
大石敏之高田 栞佐賀大)・久樂 顕山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機ED2023-67 MW2023-159
 [more] ED2023-67 MW2023-159
pp.7-10
COMP 2023-12-22
10:00
宮崎 宮崎大学 まちなかキャンパス 強連結化問題の一般化に対する近似アルゴリズム
野呂瀬龍馬山口勇太郎阪大COMP2023-16
有向グラフ G において,任意の 2 頂点間に有向パスが存在するとき,G は強連結であるという.強連結化問題とは,所与の... [more] COMP2023-16
pp.1-5
COMP 2023-12-22
11:25
宮崎 宮崎大学 まちなかキャンパス [招待講演]最大マッチング問題に対する高速なアルゴリズム
山口勇太郎阪大COMP2023-19
一般グラフの最大マッチングを求めるアルゴリズムは,Edmonds (1965) による花縮約アルゴリズムに始まり,様々な... [more] COMP2023-19
p.20
ED, MWPTHz
(共催)
2023-12-22
13:40
宮城 東北大・通研
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]ミリ波GaN増幅器向けデバイスモデリング技術
山口裕太郎新庄真太郎三菱電機)・宮本恭幸東工大ED2023-62 MWPTHz2023-72
 [more] ED2023-62 MWPTHz2023-72
pp.40-45
MW 2023-11-16
13:00
沖縄 名護市産業支援センター(沖縄)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Tee-line networkを用いた5G向けKa帯高効率広帯域GaN MMICドハティ増幅器
中谷圭吾山口祐太郎金谷 康平井暁人三菱電機MW2023-128
 [more] MW2023-128
pp.13-18
MW 2023-11-17
12:30
沖縄 名護市産業支援センター(沖縄)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
サブテラヘルツ帯GaN-HEMT向け高スケーリング精度を有する分布型モデル
山口裕太郎久樂 顕新庄真太郎山中宏治三菱電機)・宮本恭幸東工大MW2023-142
 [more] MW2023-142
pp.87-91
MW, AP
(併催)
2023-09-28
10:10
高知 高知城歴史博物館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器
久樂 顕神岡 純桑田英悟山口裕太郎加茂宣卓新庄真太郎三菱電機MW2023-81
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する.広帯域化と低雑音化を両立... [more] MW2023-81
pp.7-10
MW, ED
(共催)
2023-01-27
12:50
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ~ デバイスシミュレーション ~
諸隈奨吾佐賀大)・大塚友絢三菱電機)・○大石敏之佐賀大)・山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機ED2022-91 MW2022-150
GaN HEMTの高周波やパワーエレクトロニクス分野への応用を考えた場合、Hz~MHz付近の低周波領域における特性改善が... [more] ED2022-91 MW2022-150
pp.29-32
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
14:35
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価
西田大生大石敏之佐賀大)・大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67
GaNを使った増幅器の性能向上に対する課題のひとつにトラップの性質解明がある.今回,回路設計と整合性の良い低周波$Y$パ... [more] ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67
pp.49-52
ED, MW
(共催)
2022-01-27
13:40
ONLINE オンライン開催 3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響
桑田英悟山口裕太郎津留正臣三菱電機)・Johannes Benediktカーディフ大ED2021-63 MW2021-105
本報告では、新しいアクティブロードプル測定であるIMD3周波数でのロードプル測定系および測定結果について述べる。基本波や... [more] ED2021-63 MW2021-105
pp.7-11
COMP 2020-12-04
10:00
ONLINE オンライン開催 コスト制約つき組合せ問題に対するZDDを用いた高速な解列挙手法
湊 真一京大)・番原睦則名大)・堀山貴史北大)・川原 純京大)・瀧川一学北大)・山口勇太郎九大COMP2020-19
 [more] COMP2020-19
pp.8-15
ED, MW
(共催)
2020-01-31
15:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータに対するバッファトラップと自己発熱の影響に関する解析
大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2019-103 MW2019-137
 [more] ED2019-103 MW2019-137
p.53
MW 2019-11-14
15:10
沖縄 南大東村多目的交流センター 広帯域段間整合回路を用いた比帯域15.6%出力15W級Ka帯GaN MMIC増幅器
中谷圭吾山口裕太郎半谷政毅新庄真太郎三菱電機MW2019-105
本報告では,0.15um GaN-HEMTを用いた比帯域15.6%出力15.5WのKa帯GaN MMIC増幅器の試作結果... [more] MW2019-105
pp.29-34
COMP 2018-12-12
13:30
宮城 東北大学 [招待講演]0/1/all CSPs, Half-Integral A-path Packing, and Linear-Time FPT Algorithms
Yoichi IwataNII)・Yutaro YamaguchiOsaka Univ.)・Yuichi YoshidaNIICOMP2018-35
0/1/all CSPは,unit propagationと呼ばれる単純なDFSによって線形時間で解くことが出来る.
... [more]
COMP2018-35
p.23
MW 2018-11-15
10:50
長崎 福江文化会館 5G向けKa帯GaN高効率ドハティ増幅器MMIC
中谷圭吾山口裕太郎小松崎優治新庄真太郎三菱電機MW2018-94
 [more] MW2018-94
pp.13-18
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-07-19
15:25
北海道 洞爺観光ホテル Sパラメータ過渡応答測定を用いてトラップの非線形容量への影響を考慮したKa帯GaN大信号モデル
山口裕太郎大塚友絢半谷政毅新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29
 [more] EMT2018-30 MW2018-45 OPE2018-33 EST2018-28 MWP2018-29
pp.125-130
COMP 2018-03-05
11:00
大阪 大阪府立大学 [招待講演]クエリ可能な確率的重み付き詰め込み問題
前原貴憲理研)・○山口勇太郎阪大/理研COMP2017-47
「重み付き詰め込み問題」とは,与えられた容量制約を満たすように要素を取捨選択し,取ると決めた要素の重みの総和を最大化する... [more] COMP2017-47
p.17
MW, EMCJ, EST
(共催)
IEE-EMC
(連催) [詳細]
2017-10-20
16:40
秋田 あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 マイクロ波小型加熱炉を用いた半導体発振器方式による一様加熱制御の検証実験
弥政和宏河村由文幸丸竜太山口裕太郎中谷圭吾塩出剛士山中宏治森 一富福本 宏三菱電機EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73
半導体発振器は,マグネトロンに代表される電子管に比べ,空間内における位相制御による電力合成が可能である.本稿では,位相制... [more] EMCJ2017-58 MW2017-110 EST2017-73
pp.171-175
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:00
東京 機械振興会館地下2階1号室 Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル
山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2016-107 MW2016-183
 [more] ED2016-107 MW2016-183
pp.57-62
MW, ED
(共催)
2017-01-27
13:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 ~ TCADシミュレーションによる検討 ~
大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機ED2016-108 MW2016-184
AlGaN上に形成された窒化膜保護膜(SiN)の残留応力が,GaN HEMTの電気的特性(ドレイン電流,ゲートリーク電流... [more] ED2016-108 MW2016-184
pp.63-68
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