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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-06-19
09:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価
徳田 豊愛知工大SDM2015-39
トラップからのキャリア放出による空乏層容量過渡応答に基づく容量過渡分光法を用いて、MOCVD n-GaNのトラップ評価を... [more] SDM2015-39
pp.5-10
MVE, ITE-HI, HI-SIG-VR
(連催)
2014-07-01
14:20
東京 東京大学 山上会館(本郷キャンパス) 遠隔操作ロボットへの不随意的動作付加による存在感の向上
菊野智矢檜山 敦徳田雄嵩三浦貴大廣瀬通孝東大MVE2014-21
 [more] MVE2014-21
pp.47-52
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
13:50
福井 福井大学 ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価
徳田 豊松岡陽一妹尾 武愛知工大)・上田博之石黒 修副島成雅加地 徹豊田中研ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n+基板上にn層(10 μm, S... [more] ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
pp.85-88
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