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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| PRMU, IBISML, IPSJ-CVIM (連催) ※学会内は併催 |
2024-03-04 09:24 |
広島 | 広島大学 東広島キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Data Augmentationへの変動スケジュールの導入による知識蒸留の改善 ○古川優汰・森 稔（神奈川工科大）  PRMU2023-66 |
大規模モデルの出力値を正解ラベルとして学習に用いることで小規模モデルの汎化性能を向上させる知識蒸留では，学習時にmix-... [more] | PRMU2023-66 pp.88-93 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 |
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] | ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 pp.31-34 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 |
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ，Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] | ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 pp.41-44 |
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