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講演検索結果
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 50件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, OME
(共催)
2021-04-23
16:20
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]酸化物薄膜トランジスタにおけるホットキャリア効果
浦岡行治高橋崇典藤井茉美ベルムンド パオロ上沼睦典奈良先端大SDM2021-6 OME2021-6
 [more] SDM2021-6 OME2021-6
pp.22-25
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
14:00
ONLINE オンライン開催 積層構造によるAl2O3/GaN MOS特性の改善
曽根原 翔上沼睦典・○浦岡行治奈良先端大EID2020-9 SDM2020-43
 [more] EID2020-9 SDM2020-43
pp.35-36
SDM, OME
(共催)
2020-04-13
14:20
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行なし)
[招待講演]シリコン薄膜の低温結晶化と薄膜トランジスタへの応用
浦岡行治奈良先端大
 [more]
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
13:25
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価
古川暢昭上沼睦典石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2019-5 SDM2019-80
 [more] EID2019-5 SDM2019-80
pp.1-4
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:25
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) 量子デバイスに向けた球殻状タンパク質をテンプレートとしたCuInS2ナノ粒子作製
唐木裕馬宮永良子岡本尚文石河泰明奈良先端大)・山下一郎阪大)・浦岡行治奈良先端大EID2019-6 SDM2019-81
球殻状タンパク質を用いたナノ粒子作製・ハンドリング技術であるバイオナノプロセスにおいて,これまで報告されていなかった3元... [more] EID2019-6 SDM2019-81
pp.13-16
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
16:00
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Stable Growth of (100)-Oriented Low Angle Grain Boundary Silicon Thin Films Extending to the length of 3000 μm by a Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization
Muhammad Arif RazaliNobuo SasakiYasuaki IshikawaYukiharu UraokaNAIST
 [more]
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:45
京都 京都大学 Three-dimension periodic nano-structure fabricated by proximity nano-patterning process (PnP)
Xudongfang WangYasuaki IshikawaShinji ArakiYukiharu UraokaNAIST)・Seokwoo JeonKAISTEID2017-18 SDM2017-79
In recent years, 3D periodic nanostructure have attracted co... [more] EID2017-18 SDM2017-79
pp.35-38
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
09:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ペロブスカイト/微結晶Siタンデム型太陽電池におけるリコンビネーション層の開発
張 松石河泰明來福 至ティフェン ブルジェト浦岡行治奈良先端大)・エリック ジョンソンマーティン フォロディナイヴァン ボンナシュペール ロカ イ カバロカスエコール・ポリテクニークEID2016-9 SDM2016-90
近年、太陽電池の更なる高効率化に向けてタンデム型太陽電池の研究が進んでいる。二種類の太陽電池間におけるリコンビネーション... [more] EID2016-9 SDM2016-90
pp.1-6
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
09:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ヘテロ接合型FeS2-Pyrite太陽電池に向けたFeS2/NiOx接合のバンドオフセット評価
河村祐亮石河泰明内山俊祐奈良先端大)・野瀬嘉太郎京大)・浦岡行治奈良先端大EID2016-10 SDM2016-91
FeS2-pyriteを用いたヘテロ接合型太陽電池の実現を目的として,フラックス法によって作製したFeS2バルク結晶にN... [more] EID2016-10 SDM2016-91
pp.7-10
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
10:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 SrTa2O6によるIGZO薄膜トランジスタの高性能化要因解析
及川賢人藤井茉美Bermundo Juan Paolo奈良先端大)・内山 潔鶴岡高専)・石河泰明浦岡行治奈良先端大
 [more]
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
15:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 非晶質InGaZnO薄膜の熱電特性評価
多和勇樹上沼睦典藤本裕太瀬名波大貴石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2016-25 SDM2016-106
 [more] EID2016-25 SDM2016-106
pp.71-74
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
11:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 超分子タンパク質を利用した超微細FETへのメモリ応用
番 貴彦上沼睦典奈良先端大)・右田真司産総研)・石河泰明山下一郎浦岡行治奈良先端大EID2015-11 SDM2015-94
チャネル長3.6 nmの超微細FET であるV溝型のJunction-less FET(JL-FET)に対し、そのV溝底... [more] EID2015-11 SDM2015-94
pp.9-12
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
13:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 グリーンレーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成
仁枝嘉昭高尾 透奈良先端大)・堀田昌宏京大)・佐々木伸夫日本女子大)・石河泰明浦岡行治奈良先端大
 [more]
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
10:35
青森 青森県観光物産館アスパム イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発
岡田広美藤井茉美石河泰明奈良先端大)・三輪一元電中研)・浦岡行治奈良先端大)・小野新平電中研R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31
非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は,優れた電気特性,低温作製可能,ワイドバンドギャップとい... [more] R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31
pp.5-8
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
11:00
青森 青森県観光物産館アスパム ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現
山﨑はるか石河泰明藤井茉美ジョアン パウロ ベルムンド奈良先端大)・高橋英治安東靖典日新電機)・浦岡行治奈良先端大R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32
pp.9-11
SDM 2015-06-19
15:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process
Keisuke KadoMutsunori UenumaKyouhei NabesakaKriti SharmaHaruka YamazakiSatoshi UrakawaMami FujiiYasuaki IshikawaYukiharu UraokaNAISTSDM2015-52
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため,ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり,同... [more] SDM2015-52
pp.75-80
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
14:15
京都 京都大学 レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成
高尾 透堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2014-26 SDM2014-121
フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術... [more] EID2014-26 SDM2014-121
pp.67-71
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:00
京都 京都大学 水蒸気を用いたプラズマ誘起原子層堆積法によるAl2O3膜の形成
梅原智明堀田昌宏吉嗣晃治石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2014-36 SDM2014-131
窒化ガリウムパワーデバイス応用を目的として, Al2O3絶縁膜を原子層堆積法(ALD)により堆積した. 堆積サイクルの酸... [more] EID2014-36 SDM2014-131
pp.119-123
SDM 2013-12-13
09:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析
木瀬香保利奈良先端大)・苫井重和出光興産)・上岡義弘山崎はるか浦川 哲奈良先端大)・矢野公規出光興産)・Dapeng Wang古田 守高知工科大)・堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2013-116
近年,a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され,薄膜トランジスタのチャ... [more] SDM2013-116
pp.1-5
SDM 2013-12-13
09:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性
吉嗣晃治梅原智明堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2013-117
原子層堆積法(Atomic layer deposition: ALD)で形成したn-GaN上Al2O3構造に対して,堆... [more] SDM2013-117
pp.7-11
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