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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-06-25
16:35
愛知 名古屋大学 VBL3F X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価
藤村信幸・○大田晃生池田弥央牧原克典宮崎誠一名大SDM2018-26
 [more] SDM2018-26
pp.47-51
SDM 2017-06-20
14:35
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価
藤村信幸大田晃生池田弥央牧原克典宮崎誠一名大SDM2017-25
 [more] SDM2017-25
pp.19-23
CQ 2016-07-27
15:55
大阪 関西学院大学大阪梅田キャンパス OpenFlowにおける全リンクパケットロス率計測のための統計情報取得順序の最適化
藤村悠樹月岡祐太鶴 正人九工大CQ2016-45
近年,クラウドサービスやサーバ仮想化を支えるためのネットワーク技術として,OpenFlowが普及し始めている.それに伴い... [more] CQ2016-45
pp.73-78
SDM 2016-06-29
14:10
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量
藤村信幸大田晃生渡辺浩成牧原克典宮崎誠一名大SDM2016-40
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] SDM2016-40
pp.43-47
SDM 2016-06-29
14:45
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成
グェンスァン チュン藤村信幸竹内大智大田晃生牧原克典池田弥央宮崎誠一名大SDM2016-41
SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にS... [more] SDM2016-41
pp.49-52
MWP 2015-05-25
11:35
東京 機械振興会館 光干渉法による光ビート信号の位相ゆらぎ低減 ~ 低位相雑音コヒーレントテラヘルツ波発生を目指して ~
佐熊一輝武内翔太藤村勇起春木 隼加藤和利九大)・久武信太郎永妻忠夫阪大MWP2015-5
 [more] MWP2015-5
pp.25-29
CS, IE
(共催)
IPSJ-AVM, ITE-BCT
(連催) [詳細]
2014-12-04
15:40
大阪 大阪大学 中之島センター 深層学習と逐次学習の組み合わせによる低品質な空撮画像からの人物検出
藤村高之杉村大輔東京理科大)・小野文枝三浦 龍NICT)・浜本隆之東京理科大CS2014-75 IE2014-61
無人航空機(UAV)から得られる空撮画像を用いて人物検出を行う.空撮画像のノイズ,ブレ,人物領域の低解像度,非人が多様と... [more] CS2014-75 IE2014-61
pp.31-34
ICD 2011-04-19
09:55
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路
仁木祐介川澄 篤鈴木 東武山泰久平林 修櫛田桂一橘 文彦藤村勇樹矢部友章東芝ICD2011-9
SRAMの消費電力を低減させるためには,低電圧で動作させることが有効である.しかしながら,低電圧化に伴ってトランジスタの... [more] ICD2011-9
pp.49-54
ICD 2010-04-22
09:00
神奈川 湘南工大 [招待講演]SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM
藤村勇樹平林 修佐々木貴彦鈴木 東川澄 篤武山泰久櫛田桂一深野 剛片山 明仁木祐介矢部友章東芝ICD2010-1
本稿では、32nm High-k Metal Gate CMOSプロセスにて0.149μm2セルを用い開発した低電圧コン... [more] ICD2010-1
pp.1-6
ICD 2009-04-14
10:15
宮城 大観荘(宮城県松島町) [依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM
藤村勇樹平林 修川澄 篤鈴木 東武山泰久櫛田桂一佐々木貴彦片山 明深野 剛中里高明志津木 康串山夏樹矢部友章東芝ICD2009-5
デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として,ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し,... [more] ICD2009-5
pp.21-26
LQE 2008-12-12
10:00
東京 機械振興会館 地下3階2号室 50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ
矢野哲夫齋藤裕己蒲原敦彦野田隆一郎手塚信一郎藤村直之大山将也渡辺哲也・○平田隆昭横河電機)・西山伸彦東工大LQE2008-129
光通信や光応用計測のキーデバイスである、波長掃引幅が広くかつ高速掃引可能な波長可変レーザの実現を目的に、Si-MEMS技... [more] LQE2008-129
pp.5-9
ICD 2008-04-17
09:25
東京 機械振興会館 [招待講演]非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ
佐々木貴彦川澄 篤矢部友章武山泰久平林 修櫛田桂一東芝)・東畑晃史東芝マイクロエレクトロニクス)・片山 明深野 剛藤村勇樹大塚伸朗東芝ICD2008-1
$0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを... [more] ICD2008-1
pp.1-6
RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA
(併催)
2006-03-01
11:40
神奈川 YRP 高速フェージングチャネルにおけるFFT等化器の特性改善法
藤村勇樹田野 哲森広芳照京大
シングルキャリア伝送のための適応等化器として,サイクリックプレフィックスによる周波数領域等化(以下,FFT等化)器は簡易... [more] RCS2005-185
pp.43-48
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