| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-06-21 14:00 |
大阪 | 関西学院大学・梅田キャンパス | ［依頼講演］分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 ○隈部岳瑠（名大）・吉川 陽（旭化成）・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井 学・須田 淳・天野 浩（名大） |
[more] | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 15:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | Mgの熱拡散によるp型GaNの実現とデバイス応用への課題 ○伊藤佑太・渡邉浩崇・出来真斗・新田州吾・田中敦之・本田善夫・天野 浩（名大）  ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59 |
縦型GaNパワーデバイスの実現には, 局所的なp型ドーピング技術の確立が必要不可欠である. しかし, 代表的な不純物ドー... [more] | ED2023-19 CPM2023-61 LQE2023-59 pp.25-30 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 15:45 |
静岡 | アクトシティ浜松 | MOVPEを用いた（0001）面上への低炭素ＧａＮの成長 ○渡邉浩崇・新田州吾・藤元直樹・川崎晟也・隈部岳瑠・大西一生・本田善央・天野 浩（名大） ED2023-20 CPM2023-62 LQE2023-60 |
[more] | ED2023-20 CPM2023-62 LQE2023-60 pp.31-35 |
| SDM | 2019-06-21 16:25 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ホウ素導入を行ったALD-Al2O3/GaN-MOSキャパシタにおける界面特性評価 ○出来真斗・奥出 真・安藤悠人・渡邉浩崇・田中敦之・久志本真希・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大） SDM2019-34 |
[more] | SDM2019-34 pp.43-46 |
| SDM | 2018-06-25 11:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価 ○出来真斗・安藤悠人・渡邉浩崇・田中敦之・久志本真希・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大） SDM2018-16 |
[more] | SDM2018-16 pp.1-4 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 15:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | -c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 ○河野 司・久志本真希・永松謙太郎・新田州吾・本田善央・天野 浩（名大） ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66 |
MOVPE成長による-c面GaN基板上のGaNは、＋c面GaN基板上のGaNに比べ、電子を補償する炭素の取り込み量が少な... [more] | ED2017-53 CPM2017-96 LQE2017-66 pp.19-22 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 14:50 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Semi-polar GaN (10-13) grown on nominal Si (001) substrate with sputtered AlN buffer layer ○Hojun Lee・Tadashi Mitsunari・Yoshio Honda・Hiroshi Amano（Nagoya Univ.） |
[more] | |
| CPM | 2014-09-05 09:55 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | NEA半導体フォトカソードへの応用を目指したGaN系半導体の量子効率および耐久性の研究 ○佐藤大樹・西谷智博・前川拓也・本田善央・天野 浩（名大） CPM2014-84 |
負の電子親和力(Negative Electron Affinity: NEA)状態の表面を持つ半導体（NEA半導体フォ... [more] | CPM2014-84 pp.49-54 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 14:00 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | P - GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications ○Zheng Sun・Marc Olsson（Nagoya Univ.）・Tsutomu Nagayama（Nissin Ion Equipment）・Yoshio Honda・Hiroshi Amano（Nagoya Univ.） ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38 |
[more] | ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38 pp.109-112 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 15:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 ○前川拓也・本田善央・天野 浩・西谷智博（名大） ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108 |
我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源（NEA半導体フォトカソード電子源）の高輝度、高耐久化を目指して、p... [more] | ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108 pp.43-46 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 16:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 ○若杉侑矢・本田善央・天野 浩（名大） ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 |
MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時... [more] | ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 pp.47-50 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 10:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 加圧MOVPE法によるInGaN厚膜成長に関する研究 ○山下康平・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） |
[more] | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:30 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 ○久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 |
MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101) GaNストライプ上に発光波長435nm～590nm、井戸... [more] | ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 pp.15-18 |
| RCS, IN (併催) |
2011-05-26 15:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ITU-RにおけるIMT-Advancedの標準化状況について ○本多美雄（日本エリクソン） IN2011-24 RCS2011-25 |
ITU-R (国際電気通信連合 無線通信部) WP 5D (ワーキング・パーティ5D) におけるIMT-Advanced... [more] | IN2011-24 RCS2011-25 pp.35-38(IN), pp.37-40(RCS) |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長 ○田畑拓也・白 知鉉・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22 |
従来のプレーナ型量子井戸構造と比較してInGaNナノワイヤは可視光長波長領域において、より優れた発光特性を示すと予想され... [more] | ED2011-9 CPM2011-16 SDM2011-22 pp.45-48 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長 ○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大） ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 |
MOVPE 法により(1-101)GaN/Si 上にInGaN 厚膜の成長を試みた。InGaN を成長するとGaN にみ... [more] | ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26 pp.63-66 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 11:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | AlGaN系紫外発光素子の通電特性 ～ UV-LEDの劣化メカニズム ～ ○朴 貴珍・杉山貴之・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・稲津哲彦・藤田武彦・ぺルノー シリル・平野 光（創光科学） ED2011-24 CPM2011-31 SDM2011-37 |
[more] | ED2011-24 CPM2011-31 SDM2011-37 pp.123-126 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～ ○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大） ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 |
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] | ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47 pp.175-178 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 14:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製 ○谷川智之・本田善央・山口雅史（名大） ED2009-200 SDM2009-197 |
選択MOVPE法により非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の膜厚分布および発光の空間分布について検討を行った。無極性... [more] | ED2009-200 SDM2009-197 pp.23-28 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 15:05 |
福井 | 福井大学 | Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN 選択MOVPE成長 ○中島由樹・本田善央・山口雅史・澤木宣彦（名大） ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 |
選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上... [more] | ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 pp.97-102 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]