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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 13:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］Guidelines for the Threshold Voltage Control of Metal/HfSiON system ○Akira Nishiyama・Yoshinori Tsuchiya・Masahiko Yoshiki・Atsuhiro Kinoshita・Junji Koga・Masato Koyama（Toshiba）  ED2008-43 SDM2008-62 |
[more] | ED2008-43 SDM2008-62 pp.21-24 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 10:20 |
北海道 | 北見工業大学 | ［特別招待講演］32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化 ○小山正人・小池正浩・上牟田雄一・鈴木正道・辰村光介・土屋義規・市原玲華・後藤正和・長友浩二・東 篤志・川中 繁・中嶋一明・関根克行（東芝） SDM2007-159 ICD2007-87 |
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] | SDM2007-159 ICD2007-87 pp.101-106 |
| SDM | 2007-06-08 12:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価 ○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝） SDM2007-45 |
High-kゲート絶縁膜LaAlO3上の様々なメタルの実効仕事関数（Φeff）を系統的に評価し、その振る舞いをHfSiO... [more] | SDM2007-45 pp.75-80 |
| SDM | 2006-06-22 15:30 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE（Fully Germanided）電極の仕事関数決定要因の考察 ○土屋義規・吉木昌彦・木下敦寛・小山正人・古賀淳二・西山 彰（東芝） |
ゲート電極のメタル化技術（メタルゲート技術）における技術的課題である仕事関数（Φeff）制御について、我々の最近の検討結... [more] | SDM2006-64 pp.125-130 |
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