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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-26 14:35 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | フリップチップ接続EADFBレーザモジュールを用いた100Gbit/s信号の等化器フリー伝送 ○金澤 慈・綱島 聡・中西泰彦・村本好史・山崎裕史・上田悠太・小林 亘・石井啓之・田野辺博正・三条広明（NTT） |
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| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 11:30 |
北海道 | 小樽経済センター | 垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化・高信頼化技術 ○名田允洋・横山春喜・村本好史・松崎秀昭（NTT）  R2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45 |
[more] | R2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45 pp.91-94 |
| LQE, OCS, OPE (共催) |
2013-10-25 11:15 |
福岡 | 門司港・海峡ロマンホール | 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化 ○名田允洋・村本好史・横山春喜・石橋忠夫・松崎秀昭（NTT） OCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85 |
[more] | OCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85 pp.99-102 |
| ED | 2012-12-18 12:05 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール ○伊藤 弘（北里大）・村本好史（NTT）・山本 洋（北里大）・石橋忠夫（NEL） ED2012-107 |
サブミリ波帯においてゼロバイアスで動作する、InP系ショットキーバリアダイオード（SBD）モジュールを開発した。SBDに... [more] | ED2012-107 pp.77-82 |
| EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2012-01-27 14:40 |
大阪 | 大阪大学コンベンションセンター | ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス ○倉田優生・那須悠介・田村宗久・村本好史・横山春喜（NTT） PN2011-75 OPE2011-191 LQE2011-177 EST2011-125 MWP2011-93 |
偏波多重・多値位相変調を用いた次世代大容量光通信方式で必要となる高機能光デバイスを実現するため，低損失性や偏波・位相制御... [more] | PN2011-75 OPE2011-191 LQE2011-177 EST2011-125 MWP2011-93 pp.299-304 |
| OPE, EMT, LQE, PN (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2011-01-28 10:50 |
大阪 | 大阪大学 | InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作 ○名田允洋・村本好史・横山春喜・重川直輝・児玉 聡（NTT） PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 |
アバランシェフォトダイオード (APD)は，一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし，信頼性を確保するた... [more] | PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 pp.103-106 |
| OPE, LQE (共催) |
2010-06-25 14:55 |
東京 | 機械振興会館 地下3階研修1号室 | 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Feld MIC-PDの提案と実証 ○吉松俊英・村本好史・児玉 聡・重川直輝・横山春喜（NTT）・石橋忠夫（NEL） OPE2010-16 LQE2010-18 |
Maximized Induced Current Photodiode (MIC-PD)は所望の光吸収層厚におけるキャ... [more] | OPE2010-16 LQE2010-18 pp.7-10 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2007-11-01 11:15 |
福岡 | 九州工業大学 | p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード ○村本好史・吉松俊英・児玉 聡・中島史人・古田知史・伊藤 弘（NTT） OCS2007-44 OPE2007-99 LQE2007-85 |
p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するフォトダイオードは、全光吸収層厚に対して各層厚比を最適化することで通常... [more] | OCS2007-44 OPE2007-99 LQE2007-85 pp.23-27 |
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