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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, EMD, R, CPM
(共催)
2016-08-26
14:35
北海道 函館ロワジールホテル フリップチップ接続EADFBレーザモジュールを用いた100Gbit/s信号の等化器フリー伝送
金澤 慈綱島 聡中西泰彦村本好史山崎裕史上田悠太小林 亘石井啓之田野辺博正三条広明NTT
 [more]
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-22
11:30
北海道 小樽経済センター 垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化・高信頼化技術
名田允洋横山春喜村本好史松崎秀昭NTTR2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45
 [more] R2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45
pp.91-94
LQE, OCS, OPE
(共催)
2013-10-25
11:15
福岡 門司港・海峡ロマンホール 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化
名田允洋村本好史横山春喜石橋忠夫松崎秀昭NTTOCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85
 [more] OCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85
pp.99-102
ED 2012-12-18
12:05
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール
伊藤 弘北里大)・村本好史NTT)・山本 洋北里大)・石橋忠夫NELED2012-107
サブミリ波帯においてゼロバイアスで動作する、InP系ショットキーバリアダイオード(SBD)モジュールを開発した。SBDに... [more] ED2012-107
pp.77-82
EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2012-01-27
14:40
大阪 大阪大学コンベンションセンター ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
倉田優生那須悠介田村宗久村本好史横山春喜NTTPN2011-75 OPE2011-191 LQE2011-177 EST2011-125 MWP2011-93
偏波多重・多値位相変調を用いた次世代大容量光通信方式で必要となる高機能光デバイスを実現するため,低損失性や偏波・位相制御... [more] PN2011-75 OPE2011-191 LQE2011-177 EST2011-125 MWP2011-93
pp.299-304
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-28
10:50
大阪 大阪大学 InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作
名田允洋村本好史横山春喜重川直輝児玉 聡NTTPN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142
アバランシェフォトダイオード (APD)は,一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし,信頼性を確保するた... [more] PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142
pp.103-106
OPE, LQE
(共催)
2010-06-25
14:55
東京 機械振興会館 地下3階研修1号室 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Feld MIC-PDの提案と実証
吉松俊英村本好史児玉 聡重川直輝横山春喜NTT)・石橋忠夫NELOPE2010-16 LQE2010-18
Maximized Induced Current Photodiode (MIC-PD)は所望の光吸収層厚におけるキャ... [more] OPE2010-16 LQE2010-18
pp.7-10
LQE, OPE, OCS
(共催)
2007-11-01
11:15
福岡 九州工業大学 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード
村本好史吉松俊英児玉 聡中島史人古田知史伊藤 弘NTTOCS2007-44 OPE2007-99 LQE2007-85
p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するフォトダイオードは、全光吸収層厚に対して各層厚比を最適化することで通常... [more] OCS2007-44 OPE2007-99 LQE2007-85
pp.23-27
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