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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2024-02-29 13:45 |
山形 | 山形大学工学部 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果 ○山崎雄也・鈴木裕史・小林康之・中澤日出樹（弘前大）  CPM2023-105 |
高周波プラズマ化学気相成長法によりシリコン、窒素および酸素を共添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-O-DLC)... [more] | CPM2023-105 pp.38-41 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2023-08-24 15:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 ○小林康之（弘前大）・廣木正伸・熊倉一英（NTT） R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 |
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である．我々... [more] | R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 pp.42-44 |
| CPM | 2023-07-31 16:10 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］プラズマ表面改質によるフッ素樹脂の直接接着・めっき技術 ○小林靖之・池田慎吾（阪産技研） CPM2023-16 |
フッ素樹脂は，耐薬品性，耐熱性に優れることから，自動車，半導体，医薬品，食品，建材など多くの産業分野で利用が拡大している... [more] | CPM2023-16 pp.17-20 |
| CPM | 2023-02-28 11:30 |
東京 | 東京工科大学 + オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
水素ガスを用いたマグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜の光起電力特性 ○西田竜也・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・中澤日出樹（弘前大） CPM2022-94 |
[more] | CPM2022-94 pp.35-38 |
| CPM | 2022-08-04 16:15 |
北海道 | 北見工業大学 | マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果 ○西田竜也・谷口 颯・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・吹留博一（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2022-15 |
炭化ホウ素(B4C)ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によりアモルファスB4C薄膜およびH2を導入して水素化ア... [more] | CPM2022-15 pp.14-17 |
| CPM | 2021-10-27 13:20 |
ONLINE | オンライン開催 | プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果 ○佐々木祐弥・長内公哉・大谷優介・室野優太・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史・中澤日出樹（弘前大） CPM2021-26 |
希釈ガスにAr及びH₂を用いたプラズマ化学気相成長法によりケイ素(Si)及び窒素(N)を添加したダイヤモンドライクカーボ... [more] | CPM2021-26 pp.23-28 |
| CPM | 2020-10-29 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 | マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果 ○谷口 颯・郡山春人・小林康之・遠田義晴（弘前大）・吹留博一（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2020-17 |
[more] | CPM2020-17 pp.23-26 |
| CPM | 2019-11-07 15:00 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス | 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果 ○長内公哉・中村和樹・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2019-46 |
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] | CPM2019-46 pp.9-14 |
| CPM, IEE-MAG (連催) |
2018-11-02 14:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性 ○中澤日出樹・中村和樹・長内公哉・郡山春人・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・末光眞希（東北大） CPM2018-52 |
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] | CPM2018-52 pp.99-104 |
| CPM | 2018-08-09 14:30 |
青森 | 弘前大学文京町地区キャンパス | Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果 中村和樹・大橋 遼（弘前大）・横山 大・田島圭一郎・遠藤則史・末光眞希（東北大）・遠田義晴・小林康之・鈴木裕史・○中澤日出樹（弘前大） CPM2018-8 |
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] | CPM2018-8 pp.1-6 |
| IBISML | 2015-11-26 15:00 |
茨城 | つくば国際会議場 | ［ポスター講演］Q統計量における0値の母固有値に当たる主成分項の従う近似分布 ○小林靖之（帝京大） IBISML2015-52 |
マハラノビス距離は母共分散行列の固有値がすべて0より大きい必要がある．しかし，実際には学習サンプルの従う確率分布の母共分... [more] | IBISML2015-52 pp.1-7 |
| IBISML | 2015-03-05 16:45 |
京都 | 京都大学 | 標本マハラノビス距離における数値誤差の影響 ○小林靖之（帝京大） IBISML2014-90 |
標本共分散行列Sの標本マハラノビス距離T^2=y^' S^(-1) yにおける数値誤差が抑制できる詳細条件が次の2条件で... [more] | IBISML2014-90 pp.39-46 |
| IBISML | 2014-11-17 17:00 |
愛知 | 名古屋大学 | ［ポスター講演］標本マハラノビス距離の主成分要素の確率分布の近似モデル ～ 個々の主成分要素とその部分和について ～ ○小林靖之（帝京大） IBISML2014-37 |
標本マハラノビス距離（標本MD）を標本共分散行列の固有値・固有ベクトルで展開する際の主成分要素やその部分和の従う分布はF... [more] | IBISML2014-37 pp.17-24 |
| ICSS, ISEC, SITE, EMM (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (併催) (連催) [詳細] |
2014-07-04 11:30 |
北海道 | サン・リフレ函館 | タイミング攻撃により漏えいする鍵情報の量的評価 ～ RSA暗号に対する実行時間バケット法の効果に着目して ～ ○小林靖幸・楫 勇一（奈良先端大）・関 浩之（名大）・伊藤 実（奈良先端大） ISEC2014-35 SITE2014-30 ICSS2014-39 EMM2014-35 |
タイミング攻撃は，多くの暗号アルゴリズムの実装に対して深刻な脅威となりうる．しかしその一方，攻撃者の能力や行動を事前に予... [more] | ISEC2014-35 SITE2014-30 ICSS2014-39 EMM2014-35 pp.253-258 |
| IBISML | 2014-03-06 14:30 |
奈良 | 奈良女子大学 | 標本マハラノビス距離における過学習現象の考察 ○小林靖之（帝京大） IBISML2013-70 |
学習サンプル数nが次元数pに近い少数学習サンプルの場合の標本マハラノビス距離において，学習サンプル自身の距離D_i^2が... [more] | IBISML2013-70 pp.23-30 |
| PRMU, IBISML (共催) IPSJ-CVIM (連催) [詳細] |
2013-09-02 10:00 |
鳥取 | 鳥取大学 | デルタ法による標本マハラノビス距離の簡便な補正法の提案 ○小林靖之（帝京大） PRMU2013-37 IBISML2013-17 |
統計的機械学習において学習サンプルから推定して標本マハラノビス距離を求める場合，母マハラノビス距離との誤差が無視できない... [more] | PRMU2013-37 IBISML2013-17 pp.25-30 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 10:25 |
大阪 | 大阪市立大学 | 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発 ○小林康之・熊倉一英・赤坂哲也・山本秀樹・牧本俊樹（NTT） ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 |
窒化物半導体は、光エレクトロニクスやパワーエレクトロニクス等におけるデバイス応用に幅広く用いられている。GaNをベースと... [more] | ED2012-66 CPM2012-123 LQE2012-94 p.7 |
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