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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2009-06-19 15:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ）  SDM2009-38 |
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] | SDM2009-38 pp.67-70 |
| SDM | 2008-12-05 13:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） SDM2008-188 |
[more] | SDM2008-188 pp.21-25 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 ○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-128 ICD2008-38 |
(110) 基板は(100) 基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしな... [more] | SDM2008-128 ICD2008-38 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-146 ICD2008-56 |
自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pu... [more] | SDM2008-146 ICD2008-56 pp.103-108 |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
| SDM | 2006-06-21 14:55 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価 ○上殿明良・大塚 崇・伊東健一・白石賢二・山部紀久夫（筑波大）・宮崎誠一（広島大）・梅澤直人・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大平俊行・鈴木良一（産総研）・犬宮誠治・神山 聡（半導体先端テクノロジーズ）・赤坂泰志（東京エレクトロン）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-46 pp.25-30 |
| SDM | 2006-06-21 16:00 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 ○大毛利健治（物質・材料研究機構）・Parhat Ahmet（東工大）・白石賢二（筑波大）・渡部平司（阪大）・赤坂泰志（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久雄（筑波大）・吉武道子（物質・材料研究機構）・K. S. Chang・M. L. Green（NIST）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） |
[more] | SDM2006-48 pp.37-41 |
| SDM | 2006-06-22 13:10 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 趙 明・○中嶋 薫・鈴木基史・木村健二（京大）・植松真司（NTT）・鳥居和功・神山 聡・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-59 pp.99-102 |
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