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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SS 2011-06-30
11:30
海外 高麗大(韓国) An Introduction of a Formal Method in PBL: A Case Report
Shinya YamadaTomohiro IwamotoTsunayuki ShinozawaMitsuhide HondaRyo MiyashitaKyushu Univ.)・Takashi IwasakiYasuo InoueFUJITSU QNET)・Keijiro ArakiShigeru KusakabeYoichi OmoriKyushu Univ.SS2011-3
 [more] SS2011-3
pp.11-16
SDM 2009-12-04
13:00
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 [招待講演]High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性
西田征男ルネサステクノロジ/広島大)・永久克己清水昭博山下朋弘尾田秀一井上靖朗ルネサステクノロジ)・○芝原健太郎広島大/ルネサステクノロジSDM2009-159
(事前公開アブストラクト) High-k/metal gate MOSFETについて昨年のIEDMでpoly-Si ga... [more] SDM2009-159
pp.43-47
RCS, SAT
(併催)
2008-12-18
16:00
東京 機械振興会館 高度衛星デジタル放送のARIB実証実験
橋本明記NHK)・井上康夫WOWOW)・松本英之ソニー)・方田 勲日立)・上田和也パナソニック)・市川鋼一営電)・佐藤 彰NHKアイテック)・柴田 豊TBS)・石原友和テレビ朝日)・太田陽介フジテレビ)・野崎秀人テレビ東京)・北之園 展スカパーJSAT)・斉藤知弘放送衛星システム)・筋誡 久小島政明NHKSAT2008-53
 [more] SAT2008-53
pp.1-6
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
13:45
東京 機械振興会館 相変化メモリのリセット特性のモデリング
酒井 敦園田賢一郎茂庭昌弘石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-55 SDM2007-199
本研究では,3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し,リセット動作の解析を行った.
このモ... [more]
VLD2007-55 SDM2007-199
pp.23-26
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:00
東京 機械振興会館 <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響
高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭佃 栄次永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-57 SDM2007-201
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提
案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more]
VLD2007-57 SDM2007-201
pp.33-36
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:50
東京 機械振興会館 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証
佃 栄次ルネサステクノロジ)・鎌倉良成阪大)・高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジ)・谷口研二阪大VLD2007-59 SDM2007-203
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] VLD2007-59 SDM2007-203
pp.43-46
SDM 2007-10-05
15:25
宮城 東北大学 LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術
遠藤誠一丸山祥輝川崎洋司山下朋弘尾田秀一井上靖朗ルネサステクノロジSDM2007-191
本報告では、複数のspike-RTAとLSAの組み合わせに対するBF2 source/drain-extention(S... [more] SDM2007-191
pp.61-64
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