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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 14:25 |
北海道 | 函館ロワジールホテル | ［招待講演］紫外域AlGaNレーザーダイオードの進展 ○吉田治正・武富浩幸・青木優太・高木康文・杉山厚志・桑原正和・山下陽滋・大河原 悟・前田純也（浜松ホトニクス）  R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35 |
紫外レーザーダイオード(LD)のワットクラスの高出力化と発振波長326nmへの短波長化など最近の成果について報告する．ま... [more] | R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35 pp.35-40 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:00 |
大阪 | 大阪市立大学 | Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製 ○大谷龍輝・関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く，温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイスとして注目されて... [more] | ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108 pp.65-70 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 10:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 pp.93-97 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 15:45 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・高木康文・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス） ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120 |
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した．GaN/AlGaNおよびAl... [more] | ED2009-141 CPM2009-115 LQE2009-120 pp.61-64 |
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